以色列DUMA公司近期研制出一款高功率激光采樣器，通過(guò)壓縮空氣降溫的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)冷卻。該采樣器可以提供1.1×10^-5的采樣效率，相比于衰減片（ND）而言，效率更高，且適用于多種場(chǎng)合。該采樣器可以與現(xiàn)有光束質(zhì)量分析儀相匹配，出廠(chǎng)即完成裝配，可以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于高功率激光的檢測(cè)，對(duì)于連續(xù)激光，最高可承受4KW的功率。

        大功率激光光束質(zhì)量的測(cè)量一直是激光行業(yè)的一個(gè)難點(diǎn)和痛點(diǎn)。無(wú)論是CMOS/CCD傳感器還是刀口式檢測(cè)原理，都無(wú)法承受大功率激光的直接接收，因?yàn)?/span>CMOS傳感器或者CCD傳感器的靈敏度都很高，僅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范圍，這使得大功率激光無(wú)法實(shí)現(xiàn)直接檢測(cè)，這會(huì)導(dǎo)致因激光功率過(guò)高而直接損壞傳感器，哪怕使用衰減片（ND）仍無(wú)法滿(mǎn)足，甚至需要配合多個(gè)衰減片進(jìn)行一個(gè)整體組合后才可使用，這會(huì)使得激光整體模式受到不可估計(jì)的影響。

        我司為用戶(hù)提供兩種系列光束質(zhì)量分析儀，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于檢測(cè)工作面上的聚焦激光，其檢測(cè)原理為刀口式測(cè)量原理，僅可檢測(cè)連續(xù)激光（CW），M2-Beam的普通型號(hào)同樣采取刀口式測(cè)量原理。當(dāng)然，為了滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于脈沖激光（Pulsed）的檢測(cè)需求，我們也提供CMOS傳感器版本（-U3型號(hào)）。

以上機(jī)型均可安裝高功率激光采樣器，SAM-HP-M。需要注意的是，在測(cè)量大功率激光時(shí)，連續(xù)曝光時(shí)間不能超過(guò)5s。并且高功率機(jī)型出廠(chǎng)后，風(fēng)冷采樣器處于已裝配狀態(tài)，原則上講我們不提倡用戶(hù)將其拆卸，因?yàn)槠渲猩婕暗浇邮諏?duì)準(zhǔn)和安裝工藝問(wèn)題，這會(huì)導(dǎo)致拆卸后無(wú)法安裝的問(wèn)題存在，基于更小的靈敏度，儀器哪怕裝載了風(fēng)冷采樣器，對(duì)于小功率激光仍具備一定的探測(cè)能力。

LAM大功率激光光束質(zhì)量分析儀產(chǎn)品規(guī)格參數(shù)：

M2-Beam 大功率光束分析儀產(chǎn)品規(guī)格：

-輸入光束

-掃描裝配附件

-整機(jī)

大功率光束分析儀的核心部件——高功率激光采樣器規(guī)格參數(shù)：

高功率光束分析儀訂購(gòu)型號(hào)及描述：

LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter

LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,

M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)

M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)

M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)

M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based

M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.

SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams