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所 在 地深圳市
更新時間:2024-09-05 17:19:56瀏覽次數(shù):143次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)Roithner紅外發(fā)光二極管,PA9T SMD封裝
供貨周期 | 一個月 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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OSI InGaAs光電二極管是用于檢測近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導體器件。OSI Optoelectronics已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的設(shè)備,適用于該頻譜范圍內(nèi)的大量應(yīng)用,如:背面檢測、功率監(jiān)測、DWDM組件、OTDR測量等。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器
OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件,具有低暗電流和良好的性能穩(wěn)定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA,電容是0.16pF,在1310nm處的響應(yīng)度是0.85A/W,芯片大小是450x250μm,有效面積是36μm。
陽極和陰極觸點均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C是10Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的理想元件、它的光譜范圍從910nm到1650nm。
OSI Optoelectronics的最新產(chǎn)品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應(yīng)用而設(shè)計,在1520nm至1620nm波長范圍內(nèi)的典型光學反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層,實現(xiàn)了在寬波長范圍內(nèi)的超低反射率。
型號 | 暗電流 | 電容 | 帶寬 | 有效區(qū)域 |
FCI-InGaAs-36C | 0.5nA | 0.16pF | 9GHz | ?36µm |
FCI-InGaAs-WCER-LR | 1nA | 15pF | / | 250x500µm |
OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號
FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標準配置是有源面積為300um的4或8元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學平面上,用于正面或背面照明。它們可以采用傳統(tǒng)安裝方式(有源區(qū)朝上),也可以朝下組裝,從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。
FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管,具有4、8、12和16個陣列,是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測器陣列的一部分。每個AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率表現(xiàn)出從1100納米到1620納的高響應(yīng)性。
型號 | 暗電流 | 電容 | 帶寬 | 有效區(qū)域 | 元素陣列 |
FCI-InGaAs-300B1 | 0.05nA | 8pF | 100MHz | ?300µm | 1 |
FCI-InGaAs-300B1x4 | 0.05nA | 8pF | 100MHz | ?300µm | 4 |
FCI-InGaAs-300B1x8 | 0.05nA | 8pF | 100MHz | ?300µm | 8 |
FCI-InGaAs-4M | 0.03nA | 0.65pF | 2GHz | ?70µm | 4 |
FCI-InGaAs-8M | 0.03nA | 0.65pF | 2GHz | ?70µm | 8 |
FCI-InGaAs-12M | 0.03nA | 0.65pF | 2GHz | ?70µm | 12 |
FCI-InGaAs-16M | 0.03nA | 0.65pF | 2GHz | ?70µm | 16 |
檢測器放大器混合
FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測器。將探測器和跨阻放大器集成在一個密封的4引腳TO-46封裝中,為高速信號放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。
型號 | 可供電壓 | 可供電流 | 工作波長 | 輸出阻抗 | 有效區(qū)域直徑 |
FCI-H125G-InGaAs-75 | 3-5.5V | 26mA | 1100-1650nm | 50Ω | 75μm |
FCI-H250G-InGaAs-75 | 3-5.5V | 35mA | 1100-1650nm | 50Ω | 75μm |
FCI-H622M-InGaAs-75 | 3-3.6V | 22mA | 1100-1650nm | 75Ω | 75μm |
高速光電二極管
FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm和500μm的活動區(qū)域尺寸,具有數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內(nèi)具有低電容、低暗電流和高響應(yīng)度的特點,是局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡,以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。
型號 | 暗電流 | 電容 | 上升時間 | 有效區(qū)域 |
FCI-InGaAs-75 | 0.03nA | 1.5pF | 0.2ns | ?75µm |
FCI-InGaAs-120 | 0.05nA | 2pF | 0.3ns | ?120µm |
FCI-InGaAs-300 | 0.30nA | 10pF | 1.5ns | ?300µm |
FCI-InGaAs-500 | 0.5nA | 20pF | 10ns | ?500µm |
大面積光電二極管
FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區(qū)尺寸分別為1mm、1.5mm和3mm,是OSI Optoelectronics大有源區(qū)紅外敏感探測器的一部分,在1100nm至1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,對微弱信號具有很高的靈敏度。這些大有源區(qū)器件非常適合用于紅外儀器和監(jiān)控應(yīng)用。
型號 | 分流電阻 | 電容 | 有效區(qū)域直徑 |
FCI-InGaAS-1000-X | 30MΩ | 80pF | 1mm |
FCI-InGaAs-1500-X | 20MΩ | 200pF | 1.5mm |
FCI-InGaAs-3000-X | 20MΩ | 750pF | 3mm |
監(jiān)視器光電二極管
OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監(jiān)視器光電二極管。它們具有70um,120um,300um,500 um的有效面積,是安裝在金屬化陶瓷基板上的監(jiān)控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設(shè)計為易于集成。
型號 | 暗電流 | 電容 | 上升時間 | 反向電壓(最大值) | 有效區(qū)域直徑 | 封裝 |
FCI-InGaAs-75-WCER | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 20V | 75μm | 環(huán)繞式無鉛陶瓷 |
FCI-InGaAs-120-WCER | 0.05nA | 1pF | 0.3ns | 20V | 120μm | |
FCI-InGaAs-300-WCER | 0.3nA | 10pF | 1.5ns | 15V | 300μm | |
FCI-InGaAs-500-WCER | 0.5nA | 20pF | 10ns | 15V | 500μm | |
FCI-InGaAs-75-ACER | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 20V | 75μm | 楔形無鉛陶瓷 |
FCI-InGaAs-120-ACER | 0.05nA | 1pF | 0.2ns | 20V | 120μm | |
FCI-InGaAs-300-ACER | 0.3nA | 10pF | 1.5ns | 15V | 300μm | |
FCI-InGaAs-500-ACER | 0.5nA | 20pF | 10ns | 15V | 500μm | |
FCI-InGaAs-75-LCER | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 20V | 75μm | 帶兩條水平導線的腔體陶瓷 |
FCI-InGaAs-120-LCER | 0.05nA | 1pF | 0.3ns | 20V | 120μm | |
FCI-InGaAs-300-LCER | 0.3nA | 10pF | 1.5ns | 15V | 300μm | |
FCI-InGaAs-75-CCER | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 20V | 75μm | |
FCI-InGaAs-120-CCER | 0.05nA | 1pF | 0.3ns | 20V | 120μm | |
FCI-InGaAs-300-CCER | 0.3nA | 10pF | 1.5ns | 15V | 300μm | |
FCI-InGaAs-500-CCER | 0.5nA | 20pF | 10ns | 15V | 500μm |
尾纖光電二極管組件
FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um和120um,屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測器系列,采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學對準,提高了耦合效率和穩(wěn)定性。
型號 | 暗電流 | 電容 | 上升時間 | 有效區(qū)域直徑 |
FCI-InGaAs-70-XX-XX | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 75μm |
FCI-InGaAs-120-XX-XX | 0.05nA | 1pF | 0.3ns | 120μm |
FCI-InGaAs-70C-XX-XX | 0.03nA | 0.65pF | 0.2ns | 75μm |
FCI-InGaAs-120C-XX-XX | 0.05nA | 1pF | 0.3ns | 120μm |
四象限InGaAs光電二極管
FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測器,分為四個獨立的有效區(qū)域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區(qū)直徑。InGaAs系列具有高響應(yīng)性、高均勻性和元件之間的低串擾是精確調(diào)零或?qū)χ行膽?yīng)用以及光束輪廓分析應(yīng)用的理想選擇。它們在1100nm至1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,并且在時間和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定,響應(yīng)時間快,適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器
暗電流 | 串音 | 上升時間 | 有效區(qū)域直徑 | 元素差距 |
0.5nA | 1% | 3ns | 1000μm | 0.045mm |
2nA | 1% | 24ns | 3000μm | 0.045mm |
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