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深圳維爾克斯光電有限公司
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OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

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產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

更新時間:2024-09-05 17:19:56瀏覽次數(shù):143次

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供貨周期 一個月 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
OSI InGaAs光電二極管可以用于檢測近紅外700-1700nm光的半導體器件,適用于多種應(yīng)用。OSI InGaAs光電二極管又可以稱為OSI InGaAs光電探測器和InGaAs光電二極管。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

OSI InGaAs光電二極管,700nm-1700nm

OSI InGaAs光電二極管是用于檢測近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導體器件。OSI Optoelectronics已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的設(shè)備,適用于該頻譜范圍內(nèi)的大量應(yīng)用,如:背面檢測、功率監(jiān)測、DWDM組件、OTDR測量等。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件,具有低暗電流和良好的性能穩(wěn)定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA,電容是0.16pF,在1310nm處的響應(yīng)度是0.85A/W,芯片大小是450x250μm,有效面積是36μm。

陽極和陰極觸點均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C10Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的理想元件、它的光譜范圍從910nm1650nm

OSI Optoelectronics的最新產(chǎn)品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應(yīng)用而設(shè)計,在1520nm1620nm波長范圍內(nèi)的典型光學反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層,實現(xiàn)了在寬波長范圍內(nèi)的超低反射率。

型號

暗電流

電容

帶寬

有效區(qū)域

FCI-InGaAs-36C

0.5nA

0.16pF

9GHz

?36µm

FCI-InGaAs-WCER-LR

1nA

15pF

/

250x500µm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標準配置是有源面積為300um48元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學平面上,用于正面或背面照明。它們可以采用傳統(tǒng)安裝方式(有源區(qū)朝上),也可以朝下組裝,從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管,具有48、1216個陣列,是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測器陣列的一部分。每個AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率表現(xiàn)出從1100納米到1620納的高響應(yīng)性。

型號

暗電流

電容

帶寬

有效區(qū)域

元素陣列

FCI-InGaAs-300B1

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

1

FCI-InGaAs-300B1x4

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

4

FCI-InGaAs-300B1x8

0.05nA

8pF

100MHz

?300µm

8

FCI-InGaAs-4M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

4

FCI-InGaAs-8M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

8

FCI-InGaAs-12M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

12

FCI-InGaAs-16M

0.03nA

0.65pF

2GHz

?70µm

16

檢測器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測器。將探測器和跨阻放大器集成在一個密封的4引腳TO-46封裝中,為高速信號放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FCSC、STSMA插座。

型號

可供電壓

可供電流

工作波長

輸出阻抗

有效區(qū)域直徑

FCI-H125G-InGaAs-75

3-5.5V

26mA

1100-1650nm

50Ω

75μm

FCI-H250G-InGaAs-75

3-5.5V

35mA

1100-1650nm

50Ω

75μm

FCI-H622M-InGaAs-75

3-3.6V

22mA

1100-1650nm

75Ω

75μm

高速光電二極管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm500μm的活動區(qū)域尺寸,具有數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內(nèi)具有低電容、低暗電流和高響應(yīng)度的特點,是局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡,以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FC、SCSTSMA插座。

型號

暗電流

電容

上升時間

有效區(qū)域

FCI-InGaAs-75

0.03nA

1.5pF

0.2ns

?75µm

FCI-InGaAs-120

0.05nA

2pF

0.3ns

?120µm

FCI-InGaAs-300

0.30nA

10pF

1.5ns

?300µm

FCI-InGaAs-500

0.5nA

20pF

10ns

?500µm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


大面積光電二極管

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區(qū)尺寸分別為1mm1.5mm3mm,是OSI Optoelectronics大有源區(qū)紅外敏感探測器的一部分,在1100nm1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,對微弱信號具有很高的靈敏度。這些大有源區(qū)器件非常適合用于紅外儀器和監(jiān)控應(yīng)用。

型號

分流電阻

電容

有效區(qū)域直徑

FCI-InGaAS-1000-X

30MΩ

80pF

1mm

FCI-InGaAs-1500-X

20MΩ

200pF

1.5mm

FCI-InGaAs-3000-X

20MΩ

750pF

3mm


監(jiān)視器光電二極管

OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監(jiān)視器光電二極管。它們具有70um,120um300um,500 um的有效面積,是安裝在金屬化陶瓷基板上的監(jiān)控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設(shè)計為易于集成。

型號

暗電流

電容

上升時間

反向電壓(最大值)

有效區(qū)域直徑

封裝

FCI-InGaAs-75-WCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

環(huán)繞式無鉛陶瓷

FCI-InGaAs-120-WCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-WCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-WCER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm

FCI-InGaAs-75-ACER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

楔形無鉛陶瓷

FCI-InGaAs-120-ACER

0.05nA

1pF

0.2ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-ACER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-ACER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm

FCI-InGaAs-75-LCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

帶兩條水平導線的腔體陶瓷

FCI-InGaAs-120-LCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-LCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-75-CCER

0.03nA

0.65pF

0.2ns

20V

75μm

FCI-InGaAs-120-CCER

0.05nA

1pF

0.3ns

20V

120μm

FCI-InGaAs-300-CCER

0.3nA

10pF

1.5ns

15V

300μm

FCI-InGaAs-500-CCER

0.5nA

20pF

10ns

15V

500μm


OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


尾纖光電二極管組件

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um120um,屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測器系列,采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學對準,提高了耦合效率和穩(wěn)定性。

型號

暗電流

電容

上升時間

有效區(qū)域直徑

FCI-InGaAs-70-XX-XX

0.03nA

0.65pF

0.2ns

75μm

FCI-InGaAs-120-XX-XX

0.05nA

1pF

0.3ns

120μm

FCI-InGaAs-70C-XX-XX

0.03nA

0.65pF

0.2ns

75μm

FCI-InGaAs-120C-XX-XX

0.05nA

1pF

0.3ns

120μm

OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器


四象限InGaAs光電二極管

FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測器,分為四個獨立的有效區(qū)域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區(qū)直徑。InGaAs系列具有高響應(yīng)性、高均勻性和元件之間的低串擾是精確調(diào)零或?qū)χ行膽?yīng)用以及光束輪廓分析應(yīng)用的理想選擇。它們在1100nm1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性,并且在時間和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定,響應(yīng)時間快,適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管,銦鎵砷探測器

暗電流

串音

上升時間

有效區(qū)域直徑

元素差距

0.5nA

1%

3ns

1000μm

0.045mm

2nA

1%

24ns

3000μm

0.045mm


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