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智能型靜電放電發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：

◆符合 IEC61000-4-2 和 GB/T17626.2 標(biāo)準(zhǔn)的要求；

◆液晶顯示，智能控制

◆部分關(guān)鍵元器件采用*產(chǎn)品，可靠、耐用。

◆設(shè)備小巧輕便，易于操作

◆內(nèi)置靜電放電標(biāo)準(zhǔn)四等級(jí)參數(shù)

◆使用程控高壓電源，可靠性好

◆無論是接觸放電還是空氣放電，都可以持續(xù)在zui高電壓工作

◆使用簡單,無需注意操作順序（有軟件保護(hù)）

◆可以方便更換阻容器件,以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)要求

◆可以根據(jù)國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)變化，在原來設(shè)備上輕易升級(jí)

智能型靜電放電發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)

智能型靜電放電發(fā)生器可選附件：標(biāo)準(zhǔn)靜電放電試驗(yàn)桌

試驗(yàn)臺(tái)是為靜電放電試驗(yàn)而專門設(shè)計(jì)的試驗(yàn)裝置，符合IEC61000-4-2和GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn)，也可以用于脈沖群和衰減振蕩波的抗擾度試驗(yàn)。

靜電放電模型



一般工業(yè)界將組件的ESD測試分類為人體放電模型(Human Body Model, HBM)，機(jī)器放電模型(Machine Model, MM)及組件充電模型(Charged Device Model, CDM)，而組件充電模型又可分為socketed和non-socketed兩種測試方法。



HBM
人體放電模型是仿真人體因走動(dòng)或其它因素而在人體上累積靜電后，再去碰觸到IC，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由碰觸的腳位而進(jìn)入IC內(nèi)，若IC有一端接地而形成放電路徑時(shí)，便會(huì)經(jīng)由接地腳位放電。此放電的過程會(huì)在短短數(shù)百毫微秒(ns)的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，進(jìn)而將IC內(nèi)的電路燒毀。對一般組件可耐受的HBM 2 kV來說，在2~10 ns的時(shí)間內(nèi)，瞬間電流峰值可達(dá)1.33 A。



MM
機(jī)器放電模型則是70年代由日本人根據(jù)HBM的zui嚴(yán)重狀況所發(fā)展出來。機(jī)器放電模式是仿真設(shè)備機(jī)器(例如機(jī)械手臂、測試夾具、手工具等)本身累積了靜電，當(dāng)此機(jī)器碰觸IC時(shí)，靜電便對該IC放電。雖然MM與HBM的放電行為模式相類似，但當(dāng)MM發(fā)生時(shí)皆為金屬對金屬的接觸，因此接觸電阻微乎其微，而且一般機(jī)器設(shè)備的電容皆遠(yuǎn)大于人體，因此可以儲(chǔ)存更多的靜電荷，所以不但造成放電的速度很快，放電電流也較HBM大了數(shù)倍，在幾十毫微秒之內(nèi)會(huì)有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生，因此機(jī)器放電模型對IC造成的破壞更大。而且由于電感效應(yīng)的影響，MM放電時(shí)將以正負(fù)電流振蕩的型式影響產(chǎn)品，因此造成的破壞將更加嚴(yán)重。



CDM
組件充電模型是指IC先因磨擦或感應(yīng)等因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電慢慢累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當(dāng)其任一接腳碰觸到接地導(dǎo)體時(shí)，IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由接腳流出而造成放電現(xiàn)象。此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾個(gè)毫微秒。且因?yàn)?/span>IC內(nèi)部累積的靜電會(huì)因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀?，而等效電容值又?/span>IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式有關(guān)，所以放電現(xiàn)象更難真實(shí)模擬。關(guān)于此放電模型的工業(yè)用測試機(jī)臺(tái)有分為轉(zhuǎn)接座式(socketed)與非轉(zhuǎn)接座式(non-socketed)兩種。目前socketed CDM測試方法尚無正式之標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范文件，而non-socketed CDM主要的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范有ESD STM5.3.1-1999及EIA/JESD22-C101-A: 2000兩種[3], [4]