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| 參考價 | ￥1000-￥10000 | /臺 |
參考價：￥1000 ~ ￥10000
更新時間：2025-03-12 11:56:48瀏覽次數(shù)：1265評價
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| 供貨周期 | 兩周 | 應用領域 | 環(huán)保,化工,電子/電池 |
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光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強烈觀察到。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產生電荷載流子。產生的所產生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。
Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導體，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產各種各樣的光學器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調制器，動態(tài)實時全息記錄設備，相位共軛波混合，光學相關器和光學激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發(fā)和生產“光 - 光"型光學器件，如光學調制器，開關等。 通過不同技術制造氧化亞錫薄膜晶體結構允許開發(fā)包括光學波導，集成光學器件的多種裝置?；赟illenites的波導光學結構的使用允許在寬光譜范圍內實現(xiàn)均勻照射（通常到波導平面）。
BGO SBN
Sillenite Oxides的相對較大的電光和法拉第效應使其可用于光纖電/磁場傳感器。我們能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體用于科學研究，并大量用于工業(yè)目的。隨著2x2x2 - 25x25x25 mm3晶體，我們還提供帶有ITO（氧化銦錫）涂層的孔徑高達30x30 mm2，厚度為0.5 - 5 mm的晶體板。
鍶鋇鈮酸鹽（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一種優(yōu)異的光學和光折變材料。名義上純，由Ce，Cr，Co，F(xiàn)e摻雜。不同組成的SBN晶體用于電光學，聲光學和光折變非線性光學器件。一種新的生長技術提供了優(yōu)異的光學質量單晶，沒有生長條紋，夾雜物和其他不均勻性，以及高達80mm的確定橫截面和線性尺寸。SBN晶體元件滿足不同應用的要求。基于這種的晶體生長技術，可以使用大量高質量的SBN光學元件和光折變單元，F(xiàn)e：LiNbO3（其他摻雜劑可用）。
鐵摻雜鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3）是一種常用的具有高電光（EO）系數(shù)，高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料。與BaTiO3系列光折變晶體相比，它具有易于操作和存儲，成本低，尺寸利用率大等突出優(yōu)點，使其更適用于批量制造和實用設備。因此，F(xiàn)e：LiNbO3晶體將預測廣泛的應用。MolTech提供具有不同F(xiàn)e摻雜濃度，尺寸和光學處理要求的晶體。
光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
| 晶體 | Bi 12 SiO 20（BSO） | Bi 12 GeO 20（BGO） | Fe：LiNbO 3 | SBN x = 0.60 | SBN x = 0.75 |
晶體結構 | 立方，點組：23 | 立方，點組：23 | 三角形，3m | 4mm | 4mm |
晶格（胞）參數(shù)，? | 10.10 | 10.15 | - | a = 12.46，c = 3.946 | a = 12.43024，c = 3.91341 |
透射范圍，μm | 0.4-6 | 0.4-7 | 0.35 - 5.5 | 0.3 5 - 6.0 | 0.35 - 6.0 |
折射率在0.63μm | 2.54 | 2.55 | 2.20（ne），2.29（no） | n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μm | n e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm |
電光系數(shù)r41，pm / V | 5 | 3.5 | r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32 | r 13 = 47，r 33 = 235 | r 13 = 67，r 33 = 1340 |
光學活性，500納米處的deg / mm | 42 | 41.5 | - | - | - |
在600nm處為 - deg / mm | 25 | 24 | - | - | - |
密度，g / cm 3 | 9.15 | 9.2 | 4.64 | 5.4 | 5.4 |
莫氏硬度 | 5 | 5 | 5 | 5.5 | 5.5 |
熔點，C | 890 | 920 | 1255（Tc = 1140） | 1500±10°C | 1500±10°C |
介電常數(shù) | 56 | 40 | 85（e11）30（e33） | 880 | 3400 |
暗電阻，歐姆厘米 | 10 14 | 10 14 | - | - | - |
吸收系數(shù)@0.44μm | - | - | - | 0.3cm -1 | - |
在25°C時的熱導率 | - | - | - | 0.006 W / cm * K | |
@ 1370至1470℃下 | - | - | - | - | 0.008 W / cm * K |
熱光系數(shù)dn e / dT | - | - | - | 3×10 -4 K -1 | - |
居里溫度 | - | - | - | 75℃ | 56℃ |
半波電壓 | - | - | - | 240伏 | 48 V |
我們可提供棒或薄片，由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
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