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更新時(shí)間：2024-10-16 21:00:07
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光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
光折變效應(yīng)是局部折射率通過(guò)光強(qiáng)度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時(shí)，可強(qiáng)烈觀察到。這是由于漂移或擴(kuò)散和空間電荷分離效應(yīng)，在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場(chǎng)通過(guò)電光效應(yīng)引起折射率變化。其中一些應(yīng)用是空間光調(diào)制器，4波混頻，相位共軛，光存儲(chǔ)器和計(jì)算。
Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質(zhì)的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導(dǎo)體，具有低暗電導(dǎo)率，允許建立大的光誘導(dǎo)空間電荷。光電導(dǎo)性和光電特性的強(qiáng)烈光譜依賴性允許開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學(xué)器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光"型光學(xué)器件，如光學(xué)調(diào)制器，開(kāi)關(guān)等。 通過(guò)不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開(kāi)發(fā)包括光學(xué)波導(dǎo)，集成光學(xué)器件的多種裝置。基于Sillenites的波導(dǎo)光學(xué)結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻照射（通常到波導(dǎo)平面）。
BGO SBN
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
| 晶體 | Bi 12 SiO 20（BSO） | Bi 12 GeO 20（BGO） | Fe：LiNbO 3 | SBN x = 0.60 | SBN x = 0.75 |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方，點(diǎn)組：23 | 立方，點(diǎn)組：23 | 三角形，3m | 4mm | 4mm |
晶格（胞）參數(shù)，? | 10.10 | 10.15 | - | a = 12.46，c = 3.946 | a = 12.43024，c = 3.91341 |
透射范圍，μm | 0.4-6 | 0.4-7 | 0.35 - 5.5 | 0.3 5 - 6.0 | 0.35 - 6.0 |
折射率在0.63μm | 2.54 | 2.55 | 2.20（ne），2.29（no） | n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μm | n e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm |
電光系數(shù)r41，pm / V | 5 | 3.5 | r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32 | r 13 = 47，r 33 = 235 | r 13 = 67，r 33 = 1340 |
光學(xué)活性，500納米處的deg / mm | 42 | 41.5 | - | - | - |
在600nm處為 - deg / mm | 25 | 24 | - | - | - |
密度，g / cm 3 | 9.15 | 9.2 | 4.64 | 5.4 | 5.4 |
莫氏硬度 | 5 | 5 | 5 | 5.5 | 5.5 |
熔點(diǎn)，C | 890 | 920 | 1255（Tc = 1140） | 1500±10°C | 1500±10°C |
介電常數(shù) | 56 | 40 | 85（e11）30（e33） | 880 | 3400 |
暗電阻，歐姆厘米 | 10 14 | 10 14 | - | - | - |
吸收系數(shù)@0.44μm | - | - | - | 0.3cm -1 | - |
在25°C時(shí)的熱導(dǎo)率 | - | - | - | 0.006 W / cm * K | |
@ 1370至1470℃下 | - | - | - | - | 0.008 W / cm * K |
熱光系數(shù)dn e / dT | - | - | - | 3×10 -4 K -1 | - |
居里溫度 | - | - | - | 75℃ | 56℃ |
半波電壓 | - | - | - | 240伏 | 48 V |
我們可提供棒或薄片，由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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