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貨物所在地：上海上海市
更新時(shí)間：2024-10-16 21:00:07
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LISe非線(xiàn)性光學(xué)晶體 硒銦鋰晶體
LISe晶體,LilnSe2晶體,硒銦鋰晶體是高質(zhì)量進(jìn)口紅外激光晶體, 經(jīng)過(guò)在國(guó)外生長(zhǎng),嚴(yán)格切割拋光加工和國(guó)外高質(zhì)量的鍍膜,并進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量控制后進(jìn)口到國(guó)內(nèi),質(zhì)量非?？煽?/span>。
非線(xiàn)性光學(xué)晶體 硒銦鋰晶體主要特性
型號(hào) | LISe | ||||||||||
透光范圍, µm | 0.43-13.2 | ||||||||||
| d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm | ||||||||||
對(duì)稱(chēng)度 | Orthorombic, mm2 point group | ||||||||||
晶胞參數(shù), ? | a=7.192, b=8.412, c=6.793 | ||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)反射率 | 10.0 µm nx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 | ||||||||||
SHG的基頻（μm） |
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光學(xué)損傷閾值, GW/cm2 |
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導(dǎo)熱系數(shù) k, WM/M°C | kx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ± 0.3; kz=5.45 ± 0.3 | ||||||||||
在0.2透光水平下遠(yuǎn)紅外的吸收邊緣 | 1.24 THz at 240 µm | ||||||||||
帶隙，eV | 2.86 | ||||||||||
室溫下的帶隙能量，eV | Eg = 2.73 |
光學(xué)元件的參數(shù)
定位精度，arc min | < 30 |
平行度，arc sec | < 30 |
平坦度 | λ/4@546nm |
表面質(zhì)量, scratch/dig | 30/20 |
應(yīng)用
1.使用泵浦鈦藍(lán)寶石激光器，進(jìn)行光學(xué)參量振蕩（OPO）可獲得1-13 µm中紅外激光輸出。
2.中紅外范圍(2-13 µm)內(nèi)不同頻率產(chǎn)生。
3.對(duì)于所有的晶體，我們都能為客戶(hù)的特殊應(yīng)用提供合適的防反射/保護(hù)涂層，并提供反射率曲線(xiàn)。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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