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貨物所在地：上海上海市
更新時(shí)間：2024-10-16 21:00:07
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Crystal Systems專有的HEM技術(shù)可產(chǎn)生直徑達(dá)220 mm的晶體尺寸的優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石晶體制成的超快激光光學(xué)元件的波前值為1/10或更高，F(xiàn)OM值高達(dá)1000。
低損傷HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光材料在Crystal Systems的光學(xué)制造設(shè)施中加工，具有極其緊密的幾何形狀和晶體對(duì)準(zhǔn)。晶體質(zhì)量和光學(xué)制造工藝的各個(gè)方面都通過專業(yè)測(cè)試和測(cè)量設(shè)備進(jìn)行驗(yàn)證。我們提供有關(guān)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光光學(xué)器件的激光、光學(xué)和機(jī)械屬性的詳細(xì)質(zhì)量報(bào)告。
Crystal Systems與國際高強(qiáng)度激光專家社區(qū)合作，開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石超快激光光學(xué)器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti：Sapphire 激光光學(xué)器件，以支持當(dāng)今的高強(qiáng)度激光設(shè)施。
直徑 220 mm
出色的均勻性
熱性能
高效指標(biāo)
無散射
高激光損傷閾值
提供大尺寸和高摻雜材料
532 nm 的 Alpha 值 0.5-8.0/cm
FOM（品質(zhì)因數(shù)）與吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收，并減少 800 nm 處的寄生吸收，從而提供業(yè)內(nèi)最高的 FOM 值。每個(gè)晶體系統(tǒng)HEM® Ti：藍(lán)寶石晶體都經(jīng)過實(shí)際FOM值測(cè)試，這些值是業(yè)內(nèi)最高的（高達(dá)1000）。
HEM Ti：Sapphire 的可調(diào)范圍 – HEM® Ti：sapphire 具有從 650 nm 到 1200 nm 的寬可調(diào)范圍，峰值強(qiáng)度約為 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈沖和高重復(fù)率。我們的 Ti：Sapphire 激光光學(xué)器件提供一系列鈦摻雜濃度（0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm），允許調(diào)整整體路徑長度設(shè)計(jì)，以滿足您的總低功耗單次吸收 （LPSP）。
吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti：Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。
布魯斯特角激光晶體 – 我們大多數(shù)較小的晶體都用布魯斯特角（Brewster’s Angle ）端拋光，以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基于材料的折射率。Ti：Sapphire 的折射率為 ~1.76，從而產(chǎn)生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們的C軸旋轉(zhuǎn)精度受到嚴(yán)格控制，以避免激光調(diào)制。
先進(jìn)的激光拋光和高損傷涂層 – Crystal Systems將先進(jìn)的拋光技術(shù)應(yīng)用于其高功率激光光學(xué)器件，以產(chǎn)生埃級(jí)粗糙度和低次表面損傷。我們進(jìn)行測(cè)試以確保高且可重復(fù)的激光損傷閾值。
防反射鍍膜 – 晶體系統(tǒng)為多通放大器晶體提供先進(jìn)的增透鍍膜。我們的涂層設(shè)計(jì)用于在泵浦和激光波長下提供最大效率。AR涂層在現(xiàn)場(chǎng)成功運(yùn)行，具有始終如一的高激光損傷閾值結(jié)果，使激光操作員能夠準(zhǔn)確地計(jì)算泵浦功率，從而以較低的損壞風(fēng)險(xiǎn)大化功率輸出。
高品質(zhì)HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石激光晶體以的晶體結(jié)構(gòu)和正確的3+價(jià)電子態(tài)開始。我們通過多階段、嚴(yán)格的檢測(cè)流程，使用先進(jìn)的測(cè)試和測(cè)量設(shè)備，確保這些要求。我們測(cè)試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個(gè)HEMTi：藍(lán)寶石激光棒都使用先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的激光技術(shù)人員進(jìn)行檢查和驗(yàn)證。對(duì)質(zhì)量和精度的全力關(guān)注保證了我們的激光晶體尺寸、表面和晶體結(jié)構(gòu)為您的激光平臺(tái)的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎(chǔ)。® ®
HEM Ti:Sapphire 鈦藍(lán)寶石的寬發(fā)射范圍（650 nm 至 1200 nm）、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當(dāng)今的高強(qiáng)度激光平臺(tái)成為可能。這些設(shè)施正在創(chuàng)造下一代基于激光的應(yīng)用，如質(zhì)子治療、加速器物理、核物理、遠(yuǎn)場(chǎng)物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與客戶密切合作，開發(fā)新的晶體設(shè)計(jì)，以便超快激光社區(qū)能夠繼續(xù)提高其產(chǎn)品的可靠性和性能。®
以下測(cè)試結(jié)果來自Crystal Systems對(duì)HEMTi：Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR涂層進(jìn)行的定期測(cè)試之一。這些結(jié)果代表了我們的涂層可以預(yù)期的損傷閾值。®
測(cè)試類型：激光損傷閾值
基板材料：HEM Ti：藍(lán)寶石
試樣尺寸：直徑 1"
涂層類型：AR
測(cè)試波長： 532 nm
入射角：0o
脈沖重復(fù)頻率：10 Hz
極化：線性
測(cè)試光束輪廓：透射電鏡脈沖寬度（FWHM）：10 ns 軸向模式：多S
凹坑直徑： 570 μm
site數(shù)： 80
測(cè)試方法：激光損傷頻率
曝光持續(xù)時(shí)間：200shots/site
損傷定義：等離子體，增加的He-Ne散射，使用100X Nomarski明場(chǎng)顯微鏡觀察到的可見損傷。
結(jié)果描述：部分以13.00 Jcm-2照射，10個(gè)點(diǎn)未損壞
激光傷害閾值：在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計(jì)算
測(cè)試由Spica Technologies Inc.公司提供。
| 等級(jí) | 高度均勻的結(jié)晶 HEM 生長鈦：藍(lán)寶石晶體 |
| 拋光方式 | 激光拋光（10-5 或更好的布魯斯特角截面） |
| 藍(lán)寶石純度 | |
| jignxi | 90° |
| 平整度 | L/10 平面度@632nm |
| 外徑面 | 精細(xì)研磨 |
| TWE | L/4 PV @632nm 可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質(zhì)量 |
| 直徑 | PL (毫米) | Alpha@532nm | LPSP@532nm | FOM |
| 3.0mm x 3.0mm | 4.8 | ~3.50cm-1 | ~81% | > 200 |
| 3.0mm x 3.0mm | 2.9 | ~7.00cm-1 | ~87% | > 100 |
| 1.5mm x 3.0mm | 5 | ~5.00cm-1 | ~92% | > 150 |
| 4.0mm x 6.0mm | 4 | ~5.50cm-1 | ~89% | > 150 |
| 2.0mm x 4.0mm | 23 | ~1.05cm-1 | ~91% | > 400 |
| 4.0mm x 4.0mm | 20 | ~1.40cm-1 | ~94% | > 375 |
| 5.0mm ? | 5 | ~5.00cm-1 | ~92% | > 150 |
| 5.0mm ? | 20 | ~1.40cm-1 | ~94% | > 375 |
| 6.2mm ? | 20 | ~1.30cm-1 | ~93% | > 400 |
| 6.3mm ? | 25.4 | ~1.00cm-1 | ~92% | > 400 |
| 等級(jí) | HEM生長，具有高度均勻的晶體結(jié)構(gòu) |
| 拋光類型 | 低傷害超級(jí)拋光面，（Ra < 2 ? RMS） |
| 徑向 | 90° |
| 取向 | （(1120) A-axis, ± 1° |
| 直徑公差 | ± 0.1 mm |
| 平整度 | L/10 平整度@632nm |
| 外徑表面 | 精細(xì)研磨 |
| TWE | L/4 P-V @632nm，可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質(zhì)量 |
| 鍍膜 | 高損傷閾值增材膜 |
| AR鍍膜反射 | TBD |
| 激光損傷閾值測(cè)試 | TBD |
| 直徑 | PL（mm） | LPSP @532nm |
| 6mm ? | 15 | ~92% |
| 8mm ? | 15 | ~92% |
| 10mm ? | 15 | ~92% |
| 15mm ? | 15 | ~92% |
| 16mm ? | 20 | ~92% |
| 16x 16mm2 | 20 | ~92% |
| 20mm ? | 20 | ~92% |
| 25mm ? | 20 | ~92% |
| 30mm ? | 20 | ~92% |
| 40mm ? | 25 | ~92% |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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