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RTS-4A型全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)

閱讀:50      發(fā)布時(shí)間:2024-03-22
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RTS-4A型全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:全自動(dòng)四探針,2D,3D,多點(diǎn)掃描, 電阻率, 方塊電阻

 

 

 

可對(duì)樣品進(jìn)行 49 點(diǎn)、81 點(diǎn)、中心 1 點(diǎn)、中心 10 點(diǎn)、中心半徑 5 點(diǎn)、中心邊緣 5 點(diǎn)、中心半徑邊緣 9 點(diǎn)、直徑掃描等測(cè)試;統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)生成 2D 和 3D 的 map 圖; 屏蔽測(cè)試,消除光對(duì)樣品測(cè)試的影響,保證測(cè)量的準(zhǔn)確性;真空吸附防止全自動(dòng)測(cè)試過程中樣品移動(dòng)對(duì)測(cè)試的影響; 

一體化嵌入式設(shè)計(jì),觸控電腦屏幕操作,手指點(diǎn)點(diǎn)就可以完成操作

PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合全自動(dòng)測(cè)量設(shè)備。該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用設(shè)備。通過全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),對(duì)晶圓片進(jìn)行電阻率和方塊電阻分布的測(cè)量,繪制出等值線圖后,從而直接觀察到整個(gè)晶圓片的電阻率或方塊電阻大小的分布。

PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)通過采用四探針雙位組合測(cè)量技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上。利用電流探針和電壓探針的組合變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,其最后計(jì)算結(jié)果能自動(dòng)消除由樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素所引起的,對(duì)測(cè)量結(jié)果的不利影響。因而在測(cè)試過程中,在滿足基本條件下可以不考慮探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置等因素。這種動(dòng)態(tài)地對(duì)以上不利因素的自動(dòng)修正,顯著降低了其對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。

PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)擁有友好操作測(cè)試界面,通過此測(cè)試程序輔助用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試操作,把采集到的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)分析,然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以Excel表格,2D、3D等數(shù)值圖直觀地記錄、顯示出來。方便用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析,用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看,  

產(chǎn)品應(yīng)用

● 半導(dǎo)體及太陽(yáng)能電池(單晶硅、多晶硅、鈣鈦礦)

● 液晶面板(ITO/AZO)

● 功能材料(熱電材料、碳納米管、石墨烯、銀納米線、導(dǎo)電纖維布)

● 半導(dǎo)體工藝(金屬層/離子注入/擴(kuò)散層)、非晶合金

 

全自動(dòng)四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)

 

 

 

 

主要技術(shù)指標(biāo) 

 測(cè)量范圍 

電阻率:10-5105 ?.cm;  方塊電阻:10-4106 ?/□;   

可測(cè)晶片尺寸 

英寸~15 英寸;(太陽(yáng)能電池片≤210mm*210mm 

恒流源 

 電流量程分為 1µA、10µA、100µA、1mA10mA、100mA 六檔。 

采樣電壓范圍 

 量程:000.00199.99mV;(低阻擴(kuò)展時(shí),量程:00.00019.999mV) 

分辨力:10μV;(低阻擴(kuò)展時(shí),分辨力:1μV)輸入阻抗:>1000MΩ;精度:±0.1%; 

四探針探頭基本指標(biāo) 

 間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻:≥1000M? 機(jī)械游移率:≤0.3%;  探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;探針壓力:516 牛頓(總力) 

模擬電阻測(cè)量相對(duì)

 0.01?、0.1?、1?、10?100?1000?、10000?0.2 

整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)

(用硅標(biāo)樣片:0.003-500Ω.cm 測(cè)試)≤±3%23℃) 

重復(fù)性 

≤±0.5% 

最小去邊距離 

 3mm

自動(dòng)測(cè)試選點(diǎn)方式 

49 點(diǎn)、81 點(diǎn)、中心 點(diǎn)、中心 10 點(diǎn)、中心半徑 點(diǎn)、中心邊緣 點(diǎn)、中心半徑邊緣 點(diǎn)、直徑掃描。 

測(cè)試數(shù)據(jù)處理 

以Excel格式文件表格記錄測(cè)試數(shù)據(jù),并生成2D、3D的 map 圖。用戶可對(duì)采集的數(shù)據(jù)在 Excel 中進(jìn)行進(jìn)一步的各種數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析。 

屏蔽和吸附測(cè)試 

對(duì)樣品進(jìn)行屏蔽和真空吸附測(cè)試,消除光和全自動(dòng)測(cè)試過程中樣品移動(dòng)對(duì)樣品測(cè)試的影響,保證測(cè)量的準(zhǔn)確性。 

外形尺寸 

550mm×455mm×400mm(深×寬×高) 

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 

 溫度:23±2℃; 相對(duì)濕度:≤65%;無(wú)高頻干擾; 

 


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