西北工業(yè)大學吳宏景副教授課題組《Small》:孿晶晶界工程在金屬銅為主體的吸波材料中的探索
金屬材料作為電磁波吸收(EMA)的潛在研究對象,大密度和團聚嚴重的缺點限制了其有效導電網(wǎng)絡的構建,導致其介電損耗遠低于同級別的碳材料。要充分發(fā)揮金屬材料的優(yōu)勢,首先要考慮其本征結構的優(yōu)化。晶界工程(GBE)在金屬基材料微觀尺度的調(diào)控方面表現(xiàn)出令人滿意的前景,為了更好地應用到吸波材料領域,其關鍵是要找到一種合適的微結構來進行調(diào)控。
幸運的是,孿晶結構的構建是GBE在調(diào)制EMA材料中的有效實施策略。孿晶界(TBs)是一種特殊的相干邊界,與傳統(tǒng)的晶界(GBs)相似,但TBs的界面能比傳統(tǒng)的高角度GBs低一個數(shù)量級,其邊界附近的電子行為也會有所不同。因此,研究TBs對金屬基材料的電磁響應是非常有意義的。
文章簡介
西北工業(yè)大學吳宏景和張利民副教授,通過調(diào)節(jié)銅鹽與還原劑殼聚糖的比例來控制金屬成核,成功地形成了以金屬CuO為主的具有孿晶結構的電磁波吸收體,研究了孿晶結構對電磁響應的影響。受益于更快的界面電荷轉移和抗氧化性,孿晶結構引起的傳導損耗提高了材料的吸波性能。本文第一作者是西北工業(yè)大學博士生梁宏圣。
圖 1. a, b) 樣品制備過程的示意圖。 c-f) c) NC、d) Cu-NC-3、e) Cu-NC-10、f) Cu-NC-20 的掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像和相應的 g) XRD 圖像。 h, i) NC、Cu-NC-0.1 和 Cu-NC-1 的拉曼光譜圖像。
在金屬材料的原位合成中,利用氮摻雜碳中的氮基團與過渡金屬離子之間的鍵合作用,可以通過改變銅鹽的摩爾比來調(diào)節(jié)成核密度。由于殼聚糖氨基(-NH2)和羥基(-OH)基團的螯合特性,可以有效地協(xié)調(diào)過渡金屬離子,形成凝膠并得到前驅(qū)體配合物,最后在保護氣氛(N2)中的退火過程中得到相應的產(chǎn)物(圖1a和圖1b)。在還原氣氛中的保護性煅燒過程中,前驅(qū)體配合物中的Cu離子將首先被還原為相應的金屬氧化物(Cu2+1O),然后通過還原熱解產(chǎn)生的CO等氣體進一步還原為金屬Cu0。
大量銅離子的引入極大地改變了氮摻雜碳系統(tǒng)的電子結構和微觀形態(tài)(圖1e-f)。由于退火過程中大量Cu原子的團聚,形成了Cu納米顆粒(圖1g)。碳缺陷程度和晶體結構的變化也會引起拉曼位移的變化。如圖1h所示,當Cu含量降低時,Cu-O鍵在220 cm-1處發(fā)生紅移,確認結構缺陷的產(chǎn)生。先前的研究表明,在晶體中的缺陷位點處,電荷分布的平衡被打破,誘導出豐富的缺陷誘導偶極子,從而增強介電極化并最終消散入射的電磁波。值得注意的是,幾乎相同的ID/IG比例(NC:1.06、Cu-NC-0.1:1.07和Cu-NC-1:1.08)表明Cu元素的引入并沒有顯著優(yōu)化碳缺陷的程度(圖1i)。
圖2. a-d) 孿晶樣品Cu-NC-10的TEM、HR-TEM 圖像和逆傅立葉逆變換圖像。e) Cu-NC-10的HAADF和相應元素的映射圖像。f1-f5) Cu-NC-3、g1-g5) Cu-NC-20 的SAED圖像。
在高分辨率透射電子顯微鏡 (HRTEM)的支持下,可以清楚地看到孿晶結構。首先,觀察Cu-NC-10和其他樣品(x = 8、9、11、12和20 mmol)的整體結構,單個小球體的密集堆積構成了一個有趣的塊狀(圖2a)。關于孿晶結構的重要證據(jù)顯示在圖2b-d中,HRTEM圖像顯示晶格間距為0.208 nm,對應于金屬Cu0相的(111)晶面。值得注意的是,面心立方金屬的(111)晶面是孿晶結構的“暖巢",利于其形成。如圖2c所示,可以清楚地觀察到孿晶結構的對稱晶面,對稱晶面之間的偏轉角為70.5°,與文獻報道一致。根據(jù)孿晶界的原子排列,Cu-NC-10的孿晶界屬于共格孿晶界,低于非共格孿晶界的晶界勢壘。受益于其優(yōu)勢,電荷轉移更容易在孿晶界上實現(xiàn)。此外,相應的選區(qū)電子衍射(SAED)是成功合成Cu-NC-10孿晶結構的另一個有力證據(jù)(圖2d)。進一步研究了制備樣品的異質(zhì)界面和缺陷。觀察到少量(111)面的Cu2+1O和無定形碳區(qū)。沒有檢測到CuO的晶格條紋,表明Cu2+1O相對穩(wěn)定,沒有被進一步氧化。高角環(huán)形暗場 (HAADF)和EDX圖像進一步展示了孿晶樣品Cu-NC-10中各種元素的均勻分布(圖2e)。
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