目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>光電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)>> aixPES-DR鐵電自放電測(cè)試儀
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更新時(shí)間：2024-10-21 14:54:16瀏覽次數(shù)：919評(píng)價(jià)
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,冶金,航天,電氣 |
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鐵電自放電測(cè)試儀 aixPES-DR
(aixPES Self-Discharge Measurement )
本設(shè)備主要用來研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。
技術(shù)說明：
電壓脈沖發(fā)生器：
· 最大電壓放大: +/- 10 V；
· 最小脈沖長度：50 ns；
· 最大脈沖長度：640 μs。
開關(guān)性能：
· 激勵(lì)弛豫時(shí)間<2ns；
· Ron< 50 ?；
· Roff >1013 ?。
高阻抗電流計(jì)：
· 輸入阻抗：1013 ?；
· 輸入電容：30 fF。
本設(shè)備主要用來研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。
技術(shù)說明：
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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