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更新時(shí)間:2023-12-21 18:06:36
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JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞:壓電系數(shù),阻抗,顯微鏡,高低溫
JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng),即可用于縱向壓電D33測(cè)試,豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試,配置了高低溫冷熱臺(tái),進(jìn)行變溫測(cè)試,配置顯微鏡進(jìn)行微觀觀測(cè),也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試,是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案,可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電材料的電容等相關(guān)系數(shù),是研究壓電材料和阻抗分析的綜合設(shè)備,是科研的重要輔助設(shè)備。
一、產(chǎn)品應(yīng)用范圍:
1.壓電材料器件科學(xué)研究
2.壓電材料的用于評(píng)定壓電陶瓷片性能優(yōu)劣
3.壓電材料阻抗分析
4.其他介質(zhì)材料: 塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估
磁性材料:鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估
半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性
液晶單元:介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性
5. 導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性
半導(dǎo)體元件:LED驅(qū)動(dòng)集成電路寄生參數(shù)測(cè)試分析;變?nèi)荻O管的C-VDC特性; 晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析
二、主要技術(shù)參數(shù):
頻率:10HZ-30MHZ
測(cè)試電平:AC: AC電壓:5mV - 2Vrms ,分辨率:1mV, DC:±40V,分辨率:1mV
測(cè)試參數(shù):Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Iac、Rdc、Vdc、Idc
顯微鏡:630萬像素,偏光觀察模式
薄膜平臺(tái):30*30MM樣品臺(tái),探針連接
×1擋:10到2000pC/N,20 至4000pC/N,可以升級(jí)到10000PC/N.
×0.1擋: 1到200pC/N,2 至400pC/N。
可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用
可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用
誤差:×1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d33在100到4000pC/N;
計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸:18mm*0.8mm,老化時(shí)間:2-3年(評(píng)判壓電測(cè)試儀準(zhǔn)確性能的重要依據(jù)之一)
提供壓電薄膜標(biāo)準(zhǔn)片:20*20MM
電壓保護(hù):放電保護(hù)功能
±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d33在10到200pC/N;
×0.1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,(當(dāng)d33在10到200pC/N)
±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d33在10到20pC/N。
分辨率: ×1擋:1 pC/N;×0.1擋:0.1 pC/N。
尺寸:施力裝置:Φ110×140mm;儀器本體:240×200×80mm。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)