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詳細(xì)介紹
EddyCus®map C2C是一種全自動(dòng)測(cè)量設(shè)備，用于晶圓襯底或外延片的全面積表征，以確保半導(dǎo)體行業(yè)的工藝可靠性和質(zhì)量保證。EddyCus map C2C全自動(dòng)電阻率成像系統(tǒng)配備了兩個(gè)在傳輸模式下工作的非接觸式渦流傳感器。這允許非常詳細(xì)地顯示基底材料或?qū)щ娡繉拥木鶆蛐?。該系統(tǒng)能夠測(cè)量薄膜的薄層電阻或金屬膜厚度以及晶圓襯底的電阻率。
創(chuàng)新的浮動(dòng)晶圓技術(shù)
在器件的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，重點(diǎn)是將系統(tǒng)與晶圓的接觸減少到最小，以免影響晶圓的完整性。因此，該設(shè)備幾乎非接觸式工作。晶圓基板或涂層的表面沒(méi)有被觸摸。僅選擇性地并且在晶圓的側(cè)表面上以很小的力進(jìn)行接觸。請(qǐng)查看我們的EddyCus®地圖C2C視頻，了解處理過(guò)程。
高分辨率、全表面晶圓map
測(cè)量設(shè)備可對(duì)晶圓或涂層進(jìn)行高分辨率的全區(qū)域成像，讓您深入了解表征晶圓的質(zhì)量。根據(jù)設(shè)置和您的時(shí)間要求，可以想象幾十到數(shù)萬(wàn)個(gè)測(cè)量點(diǎn)。
該軟件還提供了各種分析工具，如直方圖或各種線(xiàn)輪廓。要查看晶圓上的某個(gè)區(qū)域的具體細(xì)節(jié)，您可以使用選擇工具選擇相關(guān)位置，然后使用線(xiàn)輪廓或直方圖再次對(duì)其進(jìn)行分析。
用于150毫米和200毫米晶圓的暗盒
EddyCus®map C2C有一個(gè)裝載裝置，可以裝載150毫米（6英寸）晶圓和200毫米（8英寸）晶圓的晶圓載體。晶片載體的容量為25個(gè)晶片。
自動(dòng)晶圓搬運(yùn)
對(duì)于晶片成像，晶片從暗盒/載體轉(zhuǎn)移到渦電流傳感器，然后放回暗盒。對(duì)于希望減少處理晶圓時(shí)間的制造企業(yè)來(lái)說(shuō)，一個(gè)有用的工具是自動(dòng)化晶圓處理。我們的自動(dòng)化晶圓處理技術(shù)降低了勞動(dòng)力成本，提高了加工精度，并降低了人為錯(cuò)誤的可能性。晶片由系統(tǒng)精確測(cè)量、處理和運(yùn)輸，從暗盒到測(cè)量站，再返回暗盒。通過(guò)這樣做，不再需要人為操作晶片，從而防止測(cè)量誤差和潛在的晶片損壞。
專(zhuān)用于寬帶隙材料，如SiC、GaN
一種被稱(chēng)為寬帶隙材料的半導(dǎo)體材料具有比典型半導(dǎo)體更寬的能帶隙。晶體管和其他集成電路是在半導(dǎo)體領(lǐng)域使用寬帶隙材料制成的。這些組件對(duì)半導(dǎo)體至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈兲峁┝烁叩墓β市屎透斓那袚Q時(shí)間。寬帶隙材料適用于高功率應(yīng)用，因?yàn)樗鼈円簿哂休^大的擊穿電壓。它們能夠更好地承受輻射，這使它們非常適合用于太空應(yīng)用。碳化硅、氮化鎵和金剛石是具有寬帶隙的材料的幾個(gè)例子。許多不同的應(yīng)用，如電源、太陽(yáng)能電池和激光二極管，都使用這些材料。
薄層電阻、層厚度和電阻率測(cè)量
EddyCus® map C2C能夠確定薄膜的薄層電阻和厚度以及晶片襯底的電阻。該設(shè)備具有大的測(cè)量范圍，這意味著幾乎所有可能的應(yīng)用都可以通過(guò)該設(shè)備進(jìn)行測(cè)量。
EddyCus map C2C全自動(dòng)電阻率成像系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
Measurement technology | Non-contact eddy current sensor, Capacitive or confocal sensor for TTV |
Substrates | 6 / 8 inch wafer |
Cassettes | 1 |
Edge effect correction / exclusion | 2 – 10 mm (depending on size, range, setup and requirements) |
Sheet resistance range | 0.0001 – 100 Ohm/sq < 1 – 3 % accuracy 100 – 100,000 Ohm/sq < 1 – 5 % accuracy (6 decades with one sensor) |
Total thickness measurement | 10 – 100,000 μm (optional) |
Thickness measurement of metal films (e.g. Aluminum, Copper) | 2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance) |
Measurement patterns (line scan, mapping) | 2 nm – 2 mm (in accordance with sheet resistance) |
Thickness measurement of metal films (e.g. Aluminum, Copper) | Pitch 1 / 2 / 5 / 10 / 20 / 50 mm Points 9 / 17 / 49 / 81 / 99 / 169 / 625 / .... / 10,000 |
Measurement time | Line scans in less then 1 second Multi point: 0.1 to 1 second per point |
Safety variants | System protected by safety laser scanners Closed system |
Device dimensions (w/d/h) | 785 mm x 1,170 mm x 666 mm / 30.91“ x 46.06“ x 26.22“ |
Available features | Resistivity, metal thickness, total thickness variation sensor |
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