CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD是一種通過在反應室內(nèi)將反應物質(zhì)以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學反應，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學反應、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中，通過控制反應氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數(shù)，可以實現(xiàn)對所生長材料的成分、結構和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術，主要用于生長復雜化合物薄膜，如半導體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅(qū)物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣、氮氣）在高溫條件下反應，使金屬有機前驅(qū)物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時，自動供給至氫氣發(fā)生器。多臺氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器，實現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配。（以兩臺設備為例控制圖如下）