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當(dāng)前位置:西安安泰電子科技有限公司>>技術(shù)文章>>分析一下寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)需求
寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)者需要滿足多種設(shè)計(jì)需求,例如,對許多應(yīng)用來說,寬帶放大器需要足夠的線性,且在諧波頻率處是全反射的。此外,對于雷達(dá),軍用發(fā)射機(jī)等非廣播電視的應(yīng)用來講,放大器還必須能夠承受輸出端巨大的失配,這些通常是連接天線的特性,終端負(fù)載,待測設(shè)備本身的反射等原因造成的。對于這些應(yīng)用,放大器的強(qiáng)健性,也就是說不易損壞就變得異常重要了。由于放大器損壞導(dǎo)致的不可測量,就意味著工程會面臨嚴(yán)重且昂貴的延誤,甚至實(shí)驗(yàn)室的收益也會受到損失等。
從商業(yè)的角度來講,不論是初始投資還是以后的運(yùn)行成本都是非常重要的。因此,高的可靠性以及易維護(hù)性就是達(dá)到這些目標(biāo)的關(guān)鍵因素。此外,對于超大功率的寬帶放大器來說,為了降低運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用,還需要盡可能的提高功率效率。本文的第二部分將對此進(jìn)行詳細(xì)討論。
當(dāng)為某一個特定應(yīng)用尋找放大器的時候,重要的是能都解釋清楚數(shù)據(jù)表中的各個參數(shù),不同的功放制造商定義功放參數(shù)的方式是不一樣的。第三部分將建議如何讀懂這參數(shù)并如何對比。
2、寬帶功率放大器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
設(shè)計(jì)高功率寬帶放大器時,工程師需要對帶寬,增益,輸出功率以及在各種幅度和相位條件下失配的行為特性,線性度,諧波特性,功率效率等進(jìn)行綜合考慮,并從中找出重要的優(yōu)先考慮的指標(biāo)。
這些指標(biāo)大多是相互影響的,對于給定的晶體管類型來說,設(shè)計(jì)的帶寬增加,能夠得到的輸出功率就會減小。更加具有挑戰(zhàn)性的是,為了達(dá)到更大的輸出功率,匹配網(wǎng)絡(luò)以及相應(yīng)的功分電路,功率合成電路就會變得更加困難。同時,功放管的使用壽命非常依賴于放大器的散熱設(shè)計(jì)和功放管外圍的保護(hù)電路。
對于A類放大器,晶體管通常偏置在一個較大的靜態(tài)電流上,這樣可以得到一個非常線性的放大特性,但是卻要承受差的功率效率,并對晶體管帶來很大的散熱壓力。AB類放大器相比A類放大器具有低的靜態(tài)偏置電流,同樣可以得到很好的線性特性,以及好得多的功率效率,晶體管的散熱壓力得到減小。通常都采用推挽結(jié)構(gòu)來進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。
為了更好的理解熱應(yīng)力對晶體管使用壽命的影響,我們可以以典型LDMOS晶體管的結(jié)溫行為特性來說明,如圖1所示。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)所說,結(jié)溫降低10度,晶體管壽命可以增加一倍。如果使用GaN晶體管,結(jié)溫的降低對壽命有更大的好處。
現(xiàn)在的功放管可以提供更大的RF功率密度,能夠?qū)崿F(xiàn)更加緊湊尺寸更小的放大器,設(shè)計(jì)的關(guān)鍵就變成了如何設(shè)計(jì)更加的熱沉來處理功放管耗散出來的大量熱能。對于A類放大器來說,這通常是難以實(shí)現(xiàn)的,需要更多的晶體管,并降低每個晶體管的大功率輸出,來處理散熱難題。即使這樣,A類放大器在沒有射頻輸入的情況下,仍然具有很高的結(jié)溫,原因在于它們具有很大的靜態(tài)偏置電流,當(dāng)散熱設(shè)計(jì)處理不好時,使用壽命就會大大減少。
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