目錄:束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司>>MDP>> MDPpro晶圓片晶錠壽命檢測(cè)儀
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更新時(shí)間：2025-02-11 11:38:48瀏覽次數(shù)：3251評(píng)價(jià)
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,食品,化工 |
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Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device
應(yīng)用范圍：用于常規(guī)質(zhì)量控制、精密材料研發(fā)的單晶和多晶片及晶錠的壽命測(cè)量
根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。
晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。
日常壽命測(cè)量，質(zhì)量控制和檢驗(yàn)
◆產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天
◆測(cè)量速度：對(duì)于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘
◆生產(chǎn)改善：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠
◆質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅
◆污染測(cè)定：起源于爐和設(shè)備的金屬(Fe)
◆可靠性：模塊化和堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器，更高的可靠性和運(yùn)行時(shí)間> 99%
◆可重復(fù)性:> 99.5%
◆電阻率：不需要經(jīng)常校準(zhǔn)
精密材料研發(fā)
鐵濃度測(cè)定
陷阱濃度測(cè)定
硼氧測(cè)定
依賴于注入的測(cè)量等
特性
*無觸點(diǎn)無破壞的半導(dǎo)體特性
特殊的“表面之下”壽命測(cè)量技術(shù)
不可見缺陷的 靈敏度的可視化
自動(dòng)切割標(biāo)準(zhǔn)定義
空間分辨p/n電導(dǎo)型變換檢測(cè)
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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