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更新時(shí)間：2024-09-12 08:38:12瀏覽次數(shù)：2197評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 農(nóng)業(yè),石油,地礦,能源,建材 |
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環(huán)境控制原子力顯微鏡檢測(cè)
項(xiàng)目 | 細(xì)則 | 收費(fèi) | 說(shuō)明 |
空氣下形貌表征 | Air接觸或輕敲模式 | / | 1.如果單個(gè)樣品測(cè)試時(shí)間超出30min則按照兩個(gè)樣品計(jì)算； 2.液相形貌掃描、電化學(xué)液池模塊測(cè)試的樣品，單個(gè)樣品測(cè)試時(shí)間超出1小時(shí)則按照兩個(gè)樣品計(jì)算； 3探針被樣品污染，按實(shí)際采購(gòu)探針費(fèi)加收探針耗材費(fèi)用； 4.可以自帶探針 |
力學(xué)性能測(cè)試 | 力曲線(xiàn)測(cè)試、AM-FM粘彈性成像測(cè)試 | / | |
電學(xué)性能測(cè)試 | 導(dǎo)電AFM成像和I/V曲線(xiàn)測(cè)試。電流測(cè)試范圍1pA至20nA，電流測(cè)試精度1pA | / | |
磁學(xué)性能測(cè)試 | MFM模塊，表征樣品磁疇分布 | / | |
STM測(cè)試 | 導(dǎo)電樣品表面高分辨成像 | / | |
納米加工、刻蝕 | 納米刻蝕、納米操縱、陽(yáng)極氧化刻蝕、刮擦刻蝕 | / | |
壓電力模塊測(cè)試 | 材料表面壓電疇分布，可以提供150V電壓 | / | |
液相形貌測(cè)試 | 只接受水相、無(wú)毒有機(jī)相溶液測(cè)試，具有腐蝕性的有機(jī)溶劑另議 | / | |
電化學(xué)液池模塊測(cè)試 | 觀察金屬及其他材料的電化學(xué)沉積、氧化及腐蝕過(guò)程，需要與電化學(xué)工作戰(zhàn)聯(lián)用 | / |
環(huán)境控制原子力顯微鏡檢測(cè)
表征偏置電壓下的儲(chǔ)能材料，例如電池極板，薄膜和溶液-電極界面
金屬的電沉積和溶出、腐蝕動(dòng)力學(xué)研究
監(jiān)測(cè)附著電極的生物催化劑和微生物隨著時(shí)間的形貌變化，以及其他生物物理研究
納米粒子的成核以及生長(zhǎng)
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