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解決方案|Keithley吉時(shí)利源表測(cè)試軟件的典型應(yīng)用及案例介紹
數(shù)字源表又稱(chēng)源測(cè)量單元(SMU)，是數(shù)字萬(wàn)用表(DMM)、電壓源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的有用功能集成在儀器中，相當(dāng)于電壓源、電流源、電壓表、電流表和電阻表的綜合體可以作為四象限電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時(shí)測(cè)量電流值或電壓值。目前市面上常用的如吉時(shí)利Keithley源表2400、2450、2600系列等，為了將源表的實(shí)時(shí)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行保存，并繪制相應(yīng)的測(cè)試曲線圖，一般可搭配源表測(cè)試軟件NS-SourceMeter進(jìn)行使用。本篇文章納米軟件Namisoft小編將為大家分享吉時(shí)利幾款熱門(mén)源表的典型應(yīng)用及源表軟件的測(cè)試案例。
一、Keithley吉時(shí)利源表的典型應(yīng)用介紹
吉時(shí)利源表Keithley 2400系列應(yīng)用：產(chǎn)品型號(hào)：2401/2450/2400/2460/2420/2410/2461/2470/2440
測(cè)試設(shè)備：
分立半導(dǎo)體器件
無(wú)源器件
瞬變抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光檢測(cè)器
電路保護(hù)器件：TVS、MOV、保險(xiǎn)絲等
氣袋
連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器
測(cè)試項(xiàng)目：
漏電
低電壓/電阻
LIV
IDDQ
I-V特性分析
隔離和印制線電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
絕緣耐壓測(cè)試序列舉例
吉時(shí)利源表Keithley2450典型應(yīng)用：
非常適合當(dāng)今多種現(xiàn)代化電子器件的電流/電壓特性分析和功能測(cè)試，包括：
納米材料與器件測(cè)試，如石墨烯、碳納米管、納米線、低功耗納米結(jié)構(gòu)測(cè)試；
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)測(cè)試，如晶圓、薄膜測(cè)試；
有機(jī)材料與器件測(cè)試，如電子墨水，印刷電子技術(shù)測(cè)試；
能量效率與照明測(cè)試，LED/AMOLED，光伏/太陽(yáng)電池、電池測(cè)試；
分立器件與無(wú)源組件測(cè)試，如雙引線:電阻器、二極管、齊納、LED、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器磁頭；
光驅(qū)、傳感器；三引線:小信號(hào)雙極節(jié)型晶體管，(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)等等；
材料特性分析，如電阻率，霍爾效應(yīng)測(cè)試等。
吉時(shí)利源表Keithley2657A應(yīng)用：
功率半導(dǎo)體器件特征分析與測(cè)試；
GaN、SiC和其它一些復(fù)合材料與器件 的特征分析；
高達(dá)3kV的擊穿與漏流測(cè)試；
亞毫秒瞬態(tài)特征分析；
吉時(shí)利 2651A大功率系統(tǒng)數(shù)字源表應(yīng)用：
功率半導(dǎo)體、HBLED 和光器件特性分析和測(cè)試；
GaN、SIC 及其他復(fù)合材料和器件的特性分析；
半導(dǎo)體結(jié)溫度特性分析；
高速、高精度數(shù)字化；
電遷移研究；
大電流、大功率器件測(cè)試；
吉時(shí)利源表Keithley2606B應(yīng)用：
3D 傳感應(yīng)用的激光二極管 (VCSEL) 生產(chǎn)測(cè)試；
LED 的大批量生產(chǎn)測(cè)試；
使用多通道 SMU 儀器檢定晶體管；
二、Keithley吉時(shí)利源表軟件NS-SourceMeter的應(yīng)用案例介紹
測(cè)試內(nèi)容：伏安特性曲線I-V（900KΩ）
測(cè)量結(jié)果：源表會(huì)根據(jù)改模塊配置，如掃描模式（從起點(diǎn)到終點(diǎn)單項(xiàng)掃描），傳感器模式（關(guān)閉），通道（CH1），輸出類(lèi)型（電壓輸出），起點(diǎn)電壓（0.10V）,終點(diǎn)電壓（10.00V），掃描步長(zhǎng)（0.10）、電流限制（1.00A），測(cè)量間隔（0.01S），循環(huán)間隔（0.10S）,循環(huán)次數(shù)（1.00次）進(jìn)行掃描，如下圖所示。
測(cè)試內(nèi)容：源表功率電流測(cè)量
測(cè)量結(jié)果：源表會(huì)根據(jù)改模塊配置，如掃描模式（從起點(diǎn)到終點(diǎn)單項(xiàng)掃描），傳感器模式（關(guān)閉），通道（CH1），輸出類(lèi)型（線性電壓測(cè)量電流），起點(diǎn)電壓（0.10V）,終點(diǎn)電壓（1.00V），掃描點(diǎn)數(shù)（50）、電流限制（1.00A），測(cè)量間隔（0.01S），循環(huán)間隔（0.10S）,循環(huán)次數(shù)（1.00次）進(jìn)行掃描，獲得I-P圖像，如下圖所示。
測(cè)試內(nèi)容：源表脈沖電壓掃描測(cè)量
測(cè)試配置：全局測(cè)試參數(shù)默認(rèn)，接線方法（二線法），掃描模式（從起點(diǎn)到終點(diǎn)單項(xiàng)掃描），傳感器模式（關(guān)閉），通道（CH1），輸出類(lèi)型（線性脈沖電壓側(cè)電流），起點(diǎn)電壓（100mV）,終點(diǎn)電壓（500mV），掃描點(diǎn)數(shù)（20）、電流限制（1.00A），測(cè)量間隔（0.01S），循環(huán)間隔（0.10S）,循環(huán)次數(shù)（2.00次），脈沖基線（0V）、脈沖寬度（100ms）、脈沖間隔（50ms）。
測(cè)量結(jié)果：獲得I-V圖像，點(diǎn)擊數(shù)據(jù)保存按鈕，手動(dòng)保存數(shù)據(jù)格式為CSV，如下圖所示。
測(cè)試圖
測(cè)試數(shù)據(jù)
吉時(shí)利源表測(cè)試軟件NS-SourceMeter詳情及下載地址 ：可搜索納米軟件