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ZY-DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)

晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國(guó)標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過(guò)載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的設(shè)備。

技術(shù)指標(biāo)：

1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。

2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。

3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。

4．測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/span>

ZY-DBC-091/051/081晶閘管動(dòng)態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)

晶閘管關(guān)斷時(shí)間、電壓上升率、電流上升率綜合測(cè)試臺(tái)

一、概述：

晶閘管的關(guān)斷時(shí)間 t q  ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個(gè)重要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，國(guó)標(biāo)規(guī)定這三個(gè)動(dòng)態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠(chǎng)前的必測(cè)項(xiàng)目。我們研制的三參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)，是以國(guó)標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù)，以滿(mǎn)足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計(jì)的，具有操作簡(jiǎn)單、讀數(shù)直觀(guān)、測(cè)試效率高等特點(diǎn)，特別是各參數(shù)自動(dòng)測(cè)試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動(dòng)調(diào)節(jié)，減少了人為誤差，提高了測(cè)試效率。元件上夾具后三個(gè)參數(shù)一次測(cè)完，減少了管芯表面損傷，并提高了測(cè)試效率。

二、整機(jī)技術(shù)指標(biāo)：

1．關(guān)斷時(shí)間t q  測(cè)試范圍：5—200μS

主要測(cè)試條件：

①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS  

③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS

④關(guān)斷期間施加反壓幅值：20—100V

⑤重加電壓幅值：100—1000V可調(diào)

⑥重加電壓dv/dt：30V/μS

⑦測(cè)試重復(fù)頻率：12.5Hz或6.25Hz

⑧結(jié)溫：按規(guī)定

2．dv/dt測(cè)試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動(dòng)轉(zhuǎn)換

主要測(cè)試條件：

①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調(diào)

②測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ

③指數(shù)法測(cè)試

④結(jié)溫：按規(guī)定

3．di/dt測(cè)試范圍：100—200A/μS 可調(diào)

主要測(cè)試條件：

①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調(diào)

②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS

③開(kāi)通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調(diào)

④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS

⑤測(cè)試重復(fù)頻率：50HZ

⑥結(jié)溫：按規(guī)定

4、配簡(jiǎn)易測(cè)試恒溫夾具：

①恒溫范圍：室溫—150℃可調(diào)

②夾具壓力：人力控制。

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