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參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間:2025-03-10 12:59:51瀏覽次數(shù):338
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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直探頭 直探頭也稱平探頭,可發(fā)射及接受縱波。直探頭主要由壓電晶片、阻尼塊(吸收塊)及保護(hù)膜組成。(1)壓電晶片 壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比。例如鋯鈦酸鉛(PZT-5)的頻率厚度常數(shù)為1890千赫/毫米,晶片厚度為1毫米時(shí),自然頻率為1.89兆赫,厚度為0.7毫米時(shí),自然頻率約2.5兆赫。電壓晶片的直徑與擴(kuò)散角成反比。電壓晶片兩面敷有銀層,作為導(dǎo)電的極板,晶片底面接地線,晶片上面接導(dǎo)線引至電路上。(2)保護(hù)膜 直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片,在晶片下粘合一層保護(hù)膜,有軟性保護(hù)和硬性保護(hù)兩種。軟性的可用塑料薄膜(厚約0.3毫米),與表面粗糙的工件接觸較好。硬性可用不銹鋼片或陶瓷片。保護(hù)膜的厚度為二分之一波長的整數(shù)倍,聲波穿透率最大。厚度為四分之一波長的奇數(shù)倍時(shí),穿透率最小。晶片與保護(hù)膜粘合后,探頭的諧振頻率將降低。保護(hù)膜與晶片粘合時(shí),粘合層應(yīng)盡可能的薄,不得滲入空氣。粘合劑的配方為 618環(huán)氧樹脂:二乙烯三胺:鄰苯二甲酸二丁酯=100:8:10 粘合后加一定的壓力,放置24小時(shí),再在60℃~80℃溫度下烘干4小時(shí)。(3)阻尼塊 阻尼塊又名吸收塊,其作用為降低降低晶片的機(jī)械品質(zhì)系數(shù),吸收聲能量。如果沒有阻尼塊,電振蕩脈沖停止時(shí),壓電晶片因慣性作用,仍繼續(xù)振動(dòng),加長了超聲波的脈沖寬度,使盲區(qū)增大,分辨力差。吸收塊的聲阻抗等于晶片的聲阻抗時(shí),效果最jia,常用的吸收快配方如下 鎢粉:環(huán)氧樹脂:二乙烯三胺(硬化劑):鄰苯二甲酸二丁酯(增塑劑)=35克:10克:0.5克:1克 為使晶片和阻尼塊粘合良好,在灌澆前先用丙酮清洗晶片和晶片座表面,并加熱至60℃~80℃再行灌澆。環(huán)氧樹脂和鎢粉應(yīng)充分混合均勻。灌澆后把探頭傾斜,使阻尼塊上表面傾斜20°左右,這樣可消除聲波在吸收塊上的發(fā)射,使熒光屏上雜波減少。
FOERSTER ?6.420.41-6900 探傷探頭
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