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首頁(yè)>>杭州新喬生物科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>新喬生物

  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射620
    2024/9/19 15:03:51373
  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    氨基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射600
    2024/9/19 14:41:43400
  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射580
    2024/9/19 14:38:05405
  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    氨基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射550
    2024/9/19 14:34:40340
  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性氨基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射520
    2024/9/19 14:01:32394
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm) 參考價(jià):面議

    本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng),熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    羧基PEG水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射750
    2024/9/19 13:44:08370
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議

    本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng),熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射700
    2024/9/19 13:38:36349
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射650±10nm) 參考價(jià):面議

    本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng),熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基,3-巰基丙酸(MPA)和PEG作為包覆劑。水溶性羧基P...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInP/ZnS量子點(diǎn)發(fā)射650發(fā)射620
    2024/9/19 13:00:34362
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射620
    2024/9/18 16:44:11375
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射600
    2024/9/18 16:40:41351
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射580
    2024/9/18 15:41:43406
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射550
    2024/9/18 14:50:54339
  • 水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性羧基PEGInPZnS量子點(diǎn)發(fā)射520
    2024/9/18 11:50:54372
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性3-巰基丙酸InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射750
    2024/9/18 11:42:58345
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性3-巰基丙酸InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射700
    2024/9/18 11:36:55349
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射650±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    3-巰基丙酸水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)發(fā)射650InP
    2024/9/18 10:40:23431
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    3-巰基丙酸水溶性ZnS量子點(diǎn)發(fā)射620InP
    2024/9/18 10:22:17365
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    3-巰基丙酸水溶性InP/ZnSZnS量子點(diǎn)發(fā)射600
    2024/9/18 9:50:27363
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    3-巰基丙酸水溶性ZnS量子點(diǎn)發(fā)射580InP
    2024/9/14 15:45:30397
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性3-巰基丙酸InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射550
    2024/9/14 14:44:00423
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射,4度密封暗...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    3-巰基丙酸水溶性InPZnS量子點(diǎn)發(fā)射520
    2024/9/14 14:25:31381
  • 水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射460±10nm) 參考價(jià):面議

    可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射460±10nm)
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    氨基PEG水溶性ZnSeZnS量子點(diǎn)發(fā)射460
    2024/9/14 13:48:01384
  • 水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm) 參考價(jià):面議

    可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm)
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性氨基PEGZnSeZnS量子點(diǎn)發(fā)射440
    2024/9/14 10:47:29362
  • 水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm) 參考價(jià):面議

    可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆ZnSe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm)
    型號(hào): 廠商性質(zhì):生產(chǎn)商所在地:杭州市 對(duì)比
    水溶性氨基PEGZnSeZnS量子點(diǎn)發(fā)射420
    2024/9/14 10:19:58374

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