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絕緣電阻測(cè)試儀常見(jiàn)問(wèn)題有以下幾點(diǎn)：

1、在測(cè)容性負(fù)載阻值時(shí)，絕緣電阻測(cè)試儀輸出短路電流巨細(xì)與丈量數(shù)據(jù)有什么關(guān)系，為什么？

絕緣電阻測(cè)試儀輸出短路電流的巨細(xì)可反映出該兆歐表內(nèi)部輸出高壓源內(nèi)阻的巨細(xì)。

很多絕緣測(cè)驗(yàn)的目標(biāo)歸于容性負(fù)載，比如較長(zhǎng)的電纜、較多繞組的電機(jī)、變壓器等。因而 當(dāng)被測(cè)目標(biāo)存在電容量時(shí)，在測(cè)驗(yàn)進(jìn)程的開(kāi)端階段，絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)的高壓源要通過(guò)其 內(nèi)阻向該電容充電，并逐漸將電壓充到絕緣電阻測(cè)試儀的輸出額外高壓值。如果被測(cè)目標(biāo) 的電容量值很大，或高壓源內(nèi)阻很大，這一充電進(jìn)程的耗時(shí)就會(huì)加長(zhǎng)。

其長(zhǎng)度可由 R 內(nèi)和 C 負(fù)載的乘積決定(單位為秒)，即 T=R 內(nèi)*C 負(fù)載。

因而測(cè)驗(yàn)時(shí)，需求對(duì)這樣的容性負(fù)載充電至測(cè)驗(yàn)電壓，而充電的速度 dV/dt，等于充電電 流 I 與負(fù)載電容 C 的比值。即 dV/dt=I/C。

所以內(nèi)阻越小，充電電流越大，測(cè)驗(yàn)成果就越快安穩(wěn)。

2、外表“G"端有什么作用？在高壓高阻的測(cè)驗(yàn)環(huán)境中，為什么要求外表接"G"端連線？

外表“G"端為屏蔽端子，屏蔽端子的作用是掃除測(cè)驗(yàn)環(huán)境潮濕和臟污對(duì)丈量成果的影響。 外表"G"端是將被測(cè)驗(yàn)品外表走漏的電流旁路，使走漏電流不通過(guò)外表的測(cè)驗(yàn)回路，消除 走漏電流引起的差錯(cuò)測(cè)驗(yàn)高阻值的時(shí)分需求用到 G 端。

一般來(lái)說(shuō)，高于 10G 能夠考慮用 G 端。但這個(gè)阻值范圍不是肯定的，清潔干燥并且待測(cè) 物體積較小時(shí)，不必 G 端丈量 500G 也能夠安穩(wěn)；而潮濕和臟污環(huán)境下，更低一些的阻值 也需求 G 端。具體來(lái)說(shuō)，丈量較高阻值時(shí)如果發(fā)現(xiàn)成果難以安穩(wěn)，即可考慮運(yùn)用 G 端。 別的要注意屏蔽端子 G 并非連接在屏蔽層上，而是接在 L 和 E 之間的絕緣體上或者多股導(dǎo)線中，非被測(cè)的其它導(dǎo)線上。

3、為什么測(cè)絕緣時(shí)，不但要求測(cè)單純的阻值，并且還要求測(cè)吸收比，極化指數(shù)，有什么意義？

PI 為極化指數(shù)，是指絕緣測(cè)驗(yàn)時(shí) 10 分鐘的絕緣阻值和 1 分鐘絕緣阻值的比照；

DAR 為介質(zhì)吸收比，是指絕緣測(cè)驗(yàn)時(shí) 1 分鐘的絕緣阻值和 15s 絕緣阻值的比照；

在絕緣測(cè)驗(yàn)中，某一個(gè)時(shí)刻的絕緣電阻值是不能全面反映試品絕緣功能的好壞的，這是由 于以下兩方面原因，一方面，同樣功能的絕緣材料，體積大時(shí)出現(xiàn)的絕緣電阻小，體積小 時(shí)出現(xiàn)的絕緣電阻大。另一方面，絕緣材料在加上高壓后均存在對(duì)電荷的吸收比進(jìn)程和極 化進(jìn)程。 所以，電力系統(tǒng)要求在主變壓器、電纜、電機(jī)等許多場(chǎng)合的絕緣測(cè)驗(yàn)中應(yīng)丈量 吸收比-即 R60s 和 R15s 的比值，和極化指數(shù)-即 R10min 和 R1min 比值，并以此數(shù)據(jù)來(lái) 斷定絕緣情況的好壞。

4、為什么電子式絕緣電阻測(cè)試儀幾節(jié)電池供電能產(chǎn)生較高的直流高壓？ 這是根據(jù)直流改換原理，通過(guò)升壓電路處理使較低的供電電壓提升到較高的輸出直流電 壓，產(chǎn)生的高壓盡管較高但輸出功率較?。ǖ湍芰啃‰娏鳎?。

注：即使很小的功率，也不主張人身接觸測(cè)驗(yàn)表筆，仍會(huì)有刺痛感。