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ALD可實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結(jié)構(gòu)和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)。

原子沉積系統(tǒng)ALD

標(biāo)準(zhǔn)型（Standard ）設(shè)備

價(jià)格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，后期維護(hù)簡(jiǎn)單易行

用途廣，適合各種基底材料

原子層沉積系統(tǒng)ALD ——擴(kuò)展型（Flexivol）設(shè)備

腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié)，同一腔室可通過簡(jiǎn)單的調(diào)節(jié)適用于不同厚度的樣品

增多前驅(qū)體源入口數(shù)目，避免腔室體積增大對(duì)前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響

ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化（Non-Standard）設(shè)備

為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案

放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗(yàn)的相同技術(shù)

根據(jù)客戶的特殊需求，加工定制，滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要

研發(fā)（R&D）服務(wù)

開發(fā)新的薄膜沉積方案

診斷、改進(jìn)現(xiàn)有ALD的工藝

為潛在的客戶做覆膜演示

薄膜沉積工藝咨詢

原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)參數(shù)

不銹鋼材質(zhì)腔室，根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)標(biāo)配四路（包含冷和熱兩種前軀體），可配至八路

前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)配有快速氣動(dòng)閥門

多段溫度控制

前驅(qū)體溫控0-200 °C，精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C

進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C

基本壓強(qiáng)　10^?1/10^?3 mbar

設(shè)備尺寸　1000x600x1000 mm

觸控控制系統(tǒng)

系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

工藝監(jiān)控：溫度和壓力等

偏差報(bào)警和安全鎖

菜單操作，實(shí)時(shí)監(jiān)控

可增配選項(xiàng)

等離子體發(fā)生器    借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ALD性能

臭氧發(fā)生器         提供強(qiáng)氧化劑，增大ALD生長的前驅(qū)體選擇范圍

石英晶體微天平    在線監(jiān)測(cè)薄膜沉積的厚度

工業(yè)及非標(biāo)研發(fā)系統(tǒng)