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目錄:愛譜斯科技(北京)有限公司>>電化學設備>>理化儀器>> 原子層沉積系統ALD

原子層沉積系統ALD
  • 原子層沉積系統ALD
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協議為準
  • 品牌 IPS/愛譜斯
  • 型號
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 北京市
屬性

應用領域:能源,電子,航天,電氣

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更新時間:2024-05-21 11:15:16瀏覽次數:1889評價

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應用領域 能源,電子,航天,電氣
原子層沉積系統ALD:ALD可實現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

ALD可實現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

原子沉積系統ALD

標準型(Standard )設備

價格低、質量高、可任選附件進行搭配

結構簡單,操作方便,后期維護簡單易行

用途廣,適合各種基底材料

原子層沉積系統ALD ——擴展型(Flexivol)設備

腔室體積可根據用戶樣品的尺寸靈活調節(jié),同一腔室可通過簡單的調節(jié)適用于不同厚度的樣品

增多前驅體源入口數目,避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響

ALD原子層沉積系統——高度定制化(Non-Standard)設備

為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案

放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術

根據客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應用及大規(guī)模的生產需要

研發(fā)(R&D)服務

開發(fā)新的薄膜沉積方案

診斷、改進現有ALD的工藝

為潛在的客戶做覆膜演示

薄膜沉積工藝咨詢

原子層沉積系統ALD技術參數

不銹鋼材質腔室,根據客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進樣系統標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

前驅體進樣系統配有快速氣動閥門

多段溫度控制

前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

進出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

基本壓強 10^?1/10^?3 mbar

設備尺寸 1000x600x1000 mm

觸控控制系統

系統當前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

工藝監(jiān)控:溫度和壓力等

偏差報警和安全鎖

菜單操作,實時監(jiān)控

可增配選項

等離子體發(fā)生器    借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能

臭氧發(fā)生器         提供強氧化劑,增大ALD生長的前驅體選擇范圍

石英晶體微天平    在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度

工業(yè)及非標研發(fā)系統

<strong>原子層沉積系統ALD</strong>(圖1)


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