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   CCP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計的高性價比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，業(yè)的機械設(shè)計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設(shè)備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。
   CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場產(chǎn)生等離子體，在等離子體的作用下將材料表面進行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞，從而實現(xiàn)對材料的刻蝕。

CCP等離子刻蝕機WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過電容耦合（CCP）方式產(chǎn)生高密度等離子體，按掩膜（例如光刻膠掩膜）圖形、實現(xiàn)對介質(zhì)材料（例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等）的選擇性刻蝕。

CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成：反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭（上電）、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。

WINETCH等離子刻蝕機產(chǎn)品特點：

-刻蝕形貌好、工藝性能*

-高選擇比、高刻蝕速率

-低擁有成本和消耗成本

WINETCH等離子刻蝕機技術(shù)參數(shù)：

晶圓尺寸：6/8寸兼容

適用工藝：等離子體刻蝕

適用材料：SiO₂，Si₃N₄，etc.
適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域