深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 100V SOT-89 香薰機(jī)MOS HN03N10D，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 HN03N10D參數(shù)：100V 3A  SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管
品牌：HN
型號：HN03N10D
VDS：100V
IDS：3A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN03N10D原裝產(chǎn)品,HN03N10D現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)
HN03N10D為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN03N10D實際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN03N10D產(chǎn)品應(yīng)用于：LED燈去頻閃，香薰機(jī)，加濕器 ，LED電源，充電器，小家電，電源。

售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HHN03N10D樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。

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HN03N10D 可以替代 PA110BC，PA910BC，UT3N10，NCE0103M，HM3N10PR

 【100V MOS 】 
HN0501:   100V 5A SOT-23       N溝道 MOS管
HN0801:   100V 8A SOT-89       N溝道MOS管
HN0301:    100V 3A SOT-23S     N溝道MOS管
HN03N10D：100V 3A  SOT-89    N溝道 MOS管
HN15N10DA：100V 15A  TO-252  N溝道 MOS管
10N10  ：100V 10A  TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管 
HN40N10KA： 100V  40A TO-252   N溝道 MOS管  低開啟電壓

場效應(yīng)管的 N溝道

N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID

直流參數(shù)：
飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏
源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流。
夾斷電壓UP它可定義為：當(dāng)UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT它可定義為：當(dāng)UDS一定時，使ID到達(dá)某一個數(shù)值時所需的UGS