深圳市三佛科技有限公司 供應 AO3400 30V SOT23 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 AO3400A參數：30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管/場效應管 

品牌：AOS 美*代
型號：AO3400A
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道

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AO3400A是AOS 推出的30V，5.8A，SOT23封裝，N溝道 MOS場效應管，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，游戲機，電源，混色LED燈等電子產品。

 HN3400 可以替代 AO3400

 HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實際電壓可以達到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產品質量穩(wěn)定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，游戲機，電源，混色LED燈等電子產品。

品牌：HN
型號：HN3400
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道

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我司可以免費提供HN3400樣品
HN3400,HN3400B可以替代型號：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS
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MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極；

電極 S（Source）稱為源極，相當于發(fā)射極。

N溝道增強型MOS場效應管結構
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

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