深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) AP2338GN 富鼎* ，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷

AP2338GN參數(shù)： 30V  5A   SOT23        N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管  

 品牌：富鼎*APEC
型號(hào)：AP2338GN
VDS： 30V
IDS： 5A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
AP2338GN原裝現(xiàn)貨,AP2338GN優(yōu)勢(shì)熱銷

HN3400可以替代AP2338GN

 HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實(shí)際電壓可以達(dá)到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，游戲機(jī)，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。

品牌：HN
型號(hào)：HN3400
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨，HN3400,優(yōu)勢(shì)熱銷

 HN3400,HN3400B可以替代型號(hào)：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS。
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 AP2338GN 富鼎* 產(chǎn)品熱銷

 N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。