深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 HN10N03DA參數(shù)：30V 10A TO-252    N溝道 MOS管  /場(chǎng)效應(yīng)管

品牌：HN
型號(hào)：HN10N03DA
VDS：30V  
IDS：10A  
封裝：TO-252
溝道：N溝道
HN10N03DA原裝產(chǎn)品,HN10N03DA現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)
HN10N03DA產(chǎn)品應(yīng)用于：汽車LED燈, 應(yīng)急燈等低壓DC/DC電路，小家電，電源
售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HN10N03DA樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。

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 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA 產(chǎn)品熱銷

N溝道EMOS管外部工作應(yīng)滿足的條件：

1.VDS > 0（漏極和源極之間的電壓必須大于0，保證漏襯PN結(jié)反偏）

2.U接電路低電位或S極（保證源襯PN結(jié)反偏）

3.VGS > 0（形成導(dǎo)電溝道）

總結(jié)：對(duì)于N溝道EMOS管常規(guī)操作方法：S極接電源的負(fù)極是D極的公共端，所以可以在D極上串聯(lián)一個(gè)負(fù)載，負(fù)載的另一端接電源+，而G*電平接通SD端，而低電平斷開SD端。P溝道EMOS管與N溝道EMOS管邏輯相反，不同之處在于G極是低電平導(dǎo)通SD端且D極接GND，高電平斷開

N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導(dǎo)通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）。