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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G1003B 100V MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨*
G1003B 參數(shù)：100V 5A SOT-23-3 N溝道MOS管/場效應(yīng)管
品牌：GF
型號：G1003B
VDS：100V
IDS：5A
封裝：SOT-23-3
溝道：N溝道
G1003B原裝供應(yīng)，G1003B現(xiàn)貨*
應(yīng)用：平板/PA低壓小MOS
HN0501參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管
HN0501 可以替代 G1003B
HN0501采用*的溝槽技術(shù)和設(shè)計為的無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)（ON）提供低門電荷。它可以應(yīng)用范圍廣泛電源切換應(yīng)用硬開關(guān)和高頻電路LED。
Vds=100V，ID=5A，rds（on）<145Ω@vgsΩ）。超低RDSON的高密度電池設(shè)計。充分表征雪崩電壓和電流。良好散熱的優(yōu)良封裝。
品牌：HN
型號：HN0501
VDS：100V
IDS：5A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
100V MOS管HN0501產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，香薰機,美容儀加濕器,霧化器,混色LED燈等電子產(chǎn)品。
G1003B 100V MOS 產(chǎn)品*
場效應(yīng)管主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET