在實(shí)際工作中，正確使用電容進(jìn)行電源退耦，必須了解電容的頻率特性。實(shí)際上并沒有理想的電容，這就是為什么人們常常聽到“電容不僅僅是電容”。實(shí)用型電容器總有一些寄生參數(shù)，它們在低頻時表現(xiàn)得不明顯，但在高頻時，它們的重要性可能超過了容值本身。由磁場能量變化的視點(diǎn)可以很容易理解，當(dāng)電流發(fā)生變化時，磁場能量也會發(fā)生變化，但能量躍升是不可能的，體現(xiàn)了電感的特性。寄生電感可延遲電容電流的改變，增加電感可增加電容充放電阻抗，延長了電源完整性反應(yīng)時間。當(dāng)頻率高于諧振頻率時，自共振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容與諧振的兼容性還是感性分界點(diǎn)，“電容不再是電容”因此退耦效果會降低。與等效串聯(lián)電感相關(guān)的電容與生產(chǎn)工藝流程、封裝規(guī)模有關(guān)，通常小封裝的等效串聯(lián)電感較低，寬體封裝的等效串聯(lián)電感較窄體封裝的高。將一些大的電容放在電路板上，一般是坦電容或電解電容。這種電容具有很低的ESL，但ESR很高，因此Q值很低，實(shí)用頻率范圍很寬，非常適用于板級電源濾波。質(zhì)量因數(shù)越高，電路在電感或電容上的電壓就越高，附加電壓就越多。在一定頻偏下，Q值越高，電流衰減越快，諧振曲線越尖銳。換句話說，電路的挑選性是由電路的Q元素決定的，電源完整性Q值越高，挑選性越好。
等離子體處理儀電源完整性部分的解耦規(guī)劃方法為了保證邏輯電路正常工作，有必要表示電路邏輯狀態(tài)的電平值以一定的比例下降。例如，對于3.3V邏輯，高電壓大于2V是邏輯1，低電壓小于0.8V是邏輯0。將電容置于鄰近器件上，并跨接于電源插頭與地插頭之間。一般情況下，電容充電，儲存部分電量。等離子體處理儀電源功率整流器不需要VCC來供給電路轉(zhuǎn)換所需的瞬態(tài)電流，電容相當(dāng)于一小塊電源。因此，等離子體處理儀電源和地端的寄生電感都被繞道掉了，在這一段時間內(nèi)，寄生電感沒有電流流過，因此也不存在感應(yīng)電壓。通常將兩個或多個電容平行放置，以減小電容本身的串聯(lián)電感，從而降低電容充放電回路的阻抗。注意：電容的放置，設(shè)備間隔，設(shè)備方式，電容選擇。
