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當(dāng)增材制造與人工智能、數(shù)字孿生技術(shù)深度融合，微電子封裝技術(shù)正在向自適應(yīng)智能系統(tǒng)進(jìn)化。隨著半導(dǎo)體器件向微型化、三維集成化方向加速演進(jìn)，傳統(tǒng)封裝工藝的局限性日益凸顯。在這關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)上，以休斯研究實(shí)驗(yàn)室（HRL Laboratories）為代表的科研機(jī)構(gòu)，正通過(guò)3D打印技術(shù)重塑微電子封裝的底層邏輯，開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)變革的新篇章。

在微電子技術(shù)向三維異構(gòu)集成演進(jìn)的關(guān)鍵階段，低溫共燒陶瓷（LTCC）和高溫共燒陶瓷（HTCC）技術(shù)雖在規(guī)?；a(chǎn)中占主導(dǎo)，但其二維層壓-燒結(jié)工藝存在局限性，導(dǎo)致電氣布線受限，面臨幾何自由度不足、集成密度瓶頸和異質(zhì)集成障礙等挑戰(zhàn)。特別是在紅外焦平面陣列（FPA）的異質(zhì)集成中，傳統(tǒng)平面中介層難以滿足曲面探測(cè)器的精準(zhǔn)對(duì)接需求，導(dǎo)致信號(hào)路徑和阻抗匹配問(wèn)題。

休斯研究實(shí)驗(yàn)室作為波音與通用汽車共同孕育的創(chuàng)新引擎，在Tobias Schaedler博士的帶領(lǐng)下，通過(guò)摩方精密面投影微立體光刻（PμSL）3D打印技術(shù)實(shí)現(xiàn)了陶瓷封裝領(lǐng)域的革命性突破。這項(xiàng)技術(shù)不僅攻克了傳統(tǒng)工藝的物理極限，更重新定義了微電子系統(tǒng)的集成范式，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟了全新的技術(shù)維度。

研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并利用摩方精密microArch® S230 （精度：2 μm）3D打印系統(tǒng)打印后高溫?zé)峤獾玫胶型钻嚵械奶沾芍薪閷樱渲型椎闹睆脚c間距分別小至9 μm和18 μm。在此基礎(chǔ)上，采用熔融滲透技術(shù)對(duì)通孔進(jìn)行金屬化處理，構(gòu)建了電氣路徑，開(kāi)創(chuàng)了通孔布線的新篇章，實(shí)現(xiàn)了包括彎曲和傾斜通孔在內(nèi)的復(fù)雜布線，為微電子系統(tǒng)的三維集成封裝提供了創(chuàng)新方案。

圖1. 3D打印中介層制造原理圖。

本研究展示了兩種創(chuàng)新中介層設(shè)計(jì)：一是彎曲型中介層，其設(shè)計(jì)理念是為了實(shí)現(xiàn)彎曲紅外探測(cè)器與平面讀出集成電路（ROIC）的有效連接；二是扇出型中介層，該設(shè)計(jì)成功將通孔陣列的間距從60μm擴(kuò)展至220μm。這兩種中介層的實(shí)現(xiàn)，需依賴于數(shù)千個(gè)彎曲和傾斜通孔的精確制造，這一技術(shù)高度超越了傳統(tǒng)微電子加工方法的局限。

圖2. 彎曲型中介層。

圖3. 扇出型中介層。

隨后，研究團(tuán)隊(duì)測(cè)試出金屬化處理后的通孔電阻約為4 x 10-8 ??m，與銀和銅的電阻值處于同一數(shù)量級(jí)，通過(guò)微納3D打印技術(shù)制造的彎曲和傾斜通孔結(jié)構(gòu)，可突破傳統(tǒng)工藝的布線限制，為高分辨率成像傳感器提供緊湊型系統(tǒng)解決方案。

在這場(chǎng)由增材制造驅(qū)動(dòng)的陶瓷封裝技術(shù)創(chuàng)新中，休斯研究實(shí)驗(yàn)室的實(shí)踐印證了三點(diǎn)產(chǎn)業(yè)規(guī)律：精密制造需回歸材料本源，工藝創(chuàng)新需突破維度約束，技術(shù)突破需構(gòu)建跨學(xué)科協(xié)同。未來(lái)，隨著微納3D打印技術(shù)的加入，將會(huì)進(jìn)一步重構(gòu)電子器件的物理形態(tài)，開(kāi)啟智能硬件進(jìn)化的新維度，更催生出具備環(huán)境感知與自主優(yōu)化的新一代智能精密硬件。