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SELN - 001B：半導(dǎo)體精密制造的水平 “穩(wěn)壓器”
閱讀：228 發(fā)布時(shí)間：2025-3-5SELN - 001B：半導(dǎo)體精密制造的水平 “穩(wěn)壓器"
在半導(dǎo)體設(shè)備制造的精密世界里，毫厘之差都可能導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量的天壤之別。二軸精密水平儀 SELN - 001B，作為行業(yè)內(nèi)的測(cè)量與校準(zhǔn)利器，正以其性能和無比的優(yōu)勢(shì)，為半導(dǎo)體制造企業(yè)帶來未有的革新。
精準(zhǔn)測(cè)量，奠定工藝基石
光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備，對(duì)工作臺(tái)和光路系統(tǒng)的水平精度要求近乎苛刻。SELN - 001B 憑借其高達(dá) ±0.001deg 的驚人角度精度，能精確校準(zhǔn)光刻機(jī)工作臺(tái)，確保晶圓與光刻鏡頭的距離分毫不差，光刻圖案精度得以保障。在光路系統(tǒng)中，對(duì)反射鏡和透鏡等光學(xué)元件的水平調(diào)整同樣得心應(yīng)手，讓光刻光線精準(zhǔn)投射，分辨率與均勻性雙雙提升，為制造高性能芯片筑牢根基。
刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室與晶圓承載臺(tái)水平度，直接關(guān)乎刻蝕效果。SELN - 001B 可快速探測(cè)反應(yīng)腔室的傾斜角度，助力技術(shù)人員迅速調(diào)整至理想水平，實(shí)現(xiàn)刻蝕氣體均勻分布，刻蝕均勻性和精度大幅提高。對(duì)于晶圓承載臺(tái)，其雙軸同時(shí)調(diào)整功能高效便捷，有效避免刻蝕偏差，產(chǎn)品良品率顯著躍升。
鍍膜設(shè)備的真空腔室與蒸發(fā)源等部件的水平狀態(tài)，決定了鍍膜質(zhì)量。SELN - 001B 輕松應(yīng)對(duì)真空腔室安裝調(diào)平，將安裝時(shí)間大幅縮短，同時(shí)保障腔室水平度，使鍍膜均勻性更上一層樓。精確調(diào)整蒸發(fā)源水平角度，讓鍍膜均勻性偏差控制在極小范圍，滿足半導(dǎo)體制造對(duì)薄膜質(zhì)量的嚴(yán)苛需求。
創(chuàng)新設(shè)計(jì)，突破應(yīng)用難題
面對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)部復(fù)雜緊湊的結(jié)構(gòu)，許多測(cè)量工具往往望而卻步。SELN - 001B 卻具優(yōu)勢(shì)，它能夠輕松完成上下間隔狹窄部位的水平觀測(cè)，無論是光刻機(jī)內(nèi)部的精密部件，還是刻蝕機(jī)緊湊的反應(yīng)腔室，都能精準(zhǔn)測(cè)量，突破傳統(tǒng)測(cè)量局限。
其操作極為直觀，技術(shù)人員可如同觀看氣泡式水平儀一般，依據(jù)監(jiān)視器畫面進(jìn)行調(diào)整，即便是初學(xué)者，借助設(shè)備的合格角度范圍設(shè)置功能，也能迅速上手，輕松實(shí)現(xiàn)水平調(diào)整。這一特性不僅統(tǒng)一了操作人員的標(biāo)準(zhǔn)，減少人為誤差，還大大縮短了調(diào)整作業(yè)工時(shí)，顯著提升工作效率。
實(shí)際案例，見證成效
在某半導(dǎo)體制造企業(yè)，引進(jìn)新刻蝕機(jī)時(shí)，SELN - 001B 大顯身手。快速校準(zhǔn)反應(yīng)腔室水平，使產(chǎn)品良品率從 85% 飆升至 92%。調(diào)整晶圓承載臺(tái)水平后，刻蝕不均勻問題得到有效解決，生產(chǎn)成本大幅降低。
另一家半導(dǎo)體工廠在鍍膜設(shè)備維護(hù)與升級(jí)中，借助 SELN - 001B，將真空腔室安裝時(shí)間從兩天縮短至一天，鍍膜均勻性顯著改善。蒸發(fā)源升級(jí)改造后，利用該設(shè)備精確調(diào)整水平角度，鍍膜均勻性偏差從 ±10% 降至 ±5% 以內(nèi)。
專注先進(jìn)制程芯片制造的企業(yè)，依靠 SELN - 001B 定期檢測(cè)光刻機(jī)工作臺(tái)與光路系統(tǒng)，確保光刻圖案套刻精度達(dá)到納米級(jí)，為生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片提供堅(jiān)實(shí)保障。
二軸精密水平儀 SELN - 001B，以精準(zhǔn)的測(cè)量、創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和實(shí)際應(yīng)用效果，成為半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率、降低成本的選擇。選擇 SELN - 001B，就是選擇半導(dǎo)體制造的未來。