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當(dāng)前位置：飛諾飛科技（深圳）有限公司>>核探測(cè)器及材料配件>>金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器
| 參考價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)：
品 牌： 飛諾飛
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)商
所 在 地：深圳市
更新時(shí)間：2024-05-10 11:23:47瀏覽次數(shù)：5179
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我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。
| 型號(hào) | 工作電壓 | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測(cè)器 （Am-241 面源） 真空下測(cè)量能量分 辯率1.2% | 對(duì)比ORTEC U-016-300-100 型 探測(cè)器 （Am-241 面源） 真空下測(cè)量峰道址 202 |
| A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
| B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
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