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目錄:博卓生物科技(上海)有限公司>>分析儀器>>電化學(xué)工作站>> WaveDriver200-美國(guó)PINE電化學(xué)工作站

WaveDriver200-美國(guó)PINE電化學(xué)工作站
  • WaveDriver200-美國(guó)PINE電化學(xué)工作站
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時(shí)間:2024-08-16 10:06:54瀏覽次數(shù):1097評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 面議
儀器種類(lèi) 電化學(xué)工作站 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,電氣,綜合
PINE公司推出新一代WaveDriver200恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì),可以用于兩電極、三電極、四電極模式,具有交流阻抗功能(EIS),可以廣泛地應(yīng)用于燃料電池、鋰電池、太陽(yáng)能電池、隔膜、超級(jí)電容器、傳感器、涂層、緩蝕劑、物理化學(xué)等研究領(lǐng)域,經(jīng)典應(yīng)用為旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極(RRDE)測(cè)試。

WaveDriver200


型號(hào):WaveDriver200

品牌:美國(guó)PINE

產(chǎn)地:美國(guó)

PINE公司推出新一代WaveDriver200恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì),可以用于兩電極、三電極、四電極模式,具有交流阻抗功能(EIS),可以廣泛地應(yīng)用于燃料電池、鋰電池、太陽(yáng)能電池、隔膜、超級(jí)電容器、傳感器、涂層、緩蝕劑、物理化學(xué)等研究領(lǐng)域,經(jīng)典應(yīng)用為旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極(RRDE)測(cè)試。

主要特點(diǎn):

高性?xún)r(jià)比、雙恒電位儀(四電極模式)、RRDE測(cè)試功能強(qiáng)大(6種測(cè)量模式)、EIS交流阻抗測(cè)試功能強(qiáng)大、軟件功能強(qiáng)大(可建測(cè)試模板、可編程測(cè)試等)。

詳細(xì)介紹:

接線:兩電極、三電極、四電極模式

具備浮地功能

最小電壓分辨率:78μV

最小電流分辨率:3.13pA

轉(zhuǎn)換速率:最快10 V/μs

紋波噪聲:<10mVRMS

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器:16bit

順從電壓:±17V

泄漏電流:<10pA

帶寬(3dB):>15 MHz

最大采樣點(diǎn):1000萬(wàn)個(gè)/每次實(shí)驗(yàn)

儀器尺寸:160(寬)*255(高)*324(長(zhǎng))mm

儀器重量:4.6kg

IR補(bǔ)償:交流阻抗法(EIS)、電流中斷法(CI)、正反饋法(PF)

EIS交流阻抗參數(shù)

交流阻抗頻率范圍:10μHz-1 MHz

頻率精度:±10ppm

數(shù)據(jù)曲線:Lissajous、Bode、Nyqusit、 Mott-Schottky

數(shù)據(jù)模型:Circuitfit、Transmissionline、Kramers-Kronig

Circuit fitting方法:修正的Levenberg-Marquardt法、Simplex法、Powell法

Circuit fitting選項(xiàng):動(dòng)態(tài)選擇點(diǎn)、單位和參數(shù)

掃描方式:線性、對(duì)數(shù)、自定義

RRDE測(cè)試方法

Rotating Ring-Disk Voltammetry 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極測(cè)試方法(RRDE)。        RRDE方法包含6種測(cè)試模式,功能強(qiáng)大。

Collection Mode:盤(pán)電極設(shè)置CV或LSV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電壓CA方法;

Shielding Mode:盤(pán)電極設(shè)置恒電壓CA方法,環(huán)電極設(shè)置CV或LSV方法;

Window Mode:盤(pán)和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法;

Diametric Mode:盤(pán)電極和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法,但是呈鏡像測(cè)試;

Galvanostatic Mode:盤(pán)電極設(shè)置CV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電流CP方法;

Galvanostatic ShieldingMode盤(pán)電極設(shè)置恒電流CP方法,環(huán)電極設(shè)置CV方法。

電壓參數(shù)

最大施加電壓:±15V

準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電壓)、±0.05%(測(cè)量電壓)

電壓量程:3檔(±2.5 V, ±10 V, ±15 V)

電壓分辨率:對(duì)應(yīng)上述3檔量程分別為78 μV/bit、313 μV/bit和469μV/bit

電流參數(shù)

最大施加電流:±1A

適用電流工作范圍:±5pA到±1 A

準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電流)、±0.05%(測(cè)量電流)

電流量程:8檔(從±100 nA到±1 A)

電流分辨率:0.0031%

電化學(xué)方法

Open Circuit Potential 開(kāi)路電位法(OCP)

Bulk electrolysis 電解法(BE)

Cyclic Voltammetry 循環(huán)伏安法(CV)

Linear Sweep Voltammetry線性掃描伏安法(LSV)

Spectroelectrochemistry 光譜電化學(xué)測(cè)試方法(SPECE)

Staircase Voltammetry 階躍伏安法(SCV)

Chronoamperometry 計(jì)時(shí)電流法/恒電位法(CA)

Double Potential StepChronoamperometry 雙電位階躍計(jì)時(shí)電流法(DPSCA)

Cyclic StepChronoamperometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電流法(CSCA)

Chronopotentiometry 計(jì)時(shí)電位法(CP)

Ramp Chronopotentiometry斜坡計(jì)時(shí)電位法(RCP)

StaircasePotentiometry  階躍計(jì)時(shí)電位法(SCP)

Cyclic StepChronopotentiometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電位法(CSCP)

Differential pulseVoltammetry 差分脈沖伏安法(DPV)

Square-Wave Voltammetry 方波循環(huán)伏安法 (SWV)

NormalPulse Voltammetry 常規(guī)脈沖伏安法(NPV)



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