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Sentech激光橢偏儀 SE400adv-太陽能電池膜厚測量儀

sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀

在測量太陽能電池粗糙表面反射膜方面，有出色的表現(xiàn)。

非接觸光學(xué)測量，可測量薄膜厚度、折射率、吸收系數(shù)、偏振角度。

高穩(wěn)定性和精度。由于其具有穩(wěn)定激光光源、溫度補償裝置、起偏器跟蹤和極低噪聲探測器。

光學(xué)自動準直設(shè)計。

快速、簡單易操作，可選擇應(yīng)用特定的入射角度。

支持多角度測量，以便分析更復(fù)雜的樣品和更準確的厚度。

多角度激光橢偏儀 SE400advanced 能夠測量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù)，使用 632.8nm 波長氦氖激光器，具有*的精度和準確度。SE400advanced可用來測量單層、多層和大尺寸材料。SE400advanced 的功能基于橢圓偏振光原理，一種使用激光偏振光的非接觸光學(xué)反射測量方式。

由于 sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀SE400advanced *、易用、Recipe 模式導(dǎo)向和功能強大的軟件，SE400advanced 能夠滿足研發(fā)需求和生產(chǎn)中的質(zhì)量控制需求。它包含了大范圍的應(yīng)用，比如微電子學(xué)、III-V 半導(dǎo)體、生物和生命科學(xué)、顯示技術(shù)、磁介質(zhì)、金屬處理和其他應(yīng)用。對ψ,?的高靈敏度測量和極低噪聲探測器，使其能夠測量非理想的、散射的、粗糙表面的膜層，比如太陽能電池表面的減反射膜的測量。

SE400advanced 被設(shè)計用來將橢偏儀測量理論的全部潛能發(fā)揮到極限。由于 SE400advanced 具有高穩(wěn)定補償器、電腦控制的穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器和自動定位起偏器，能夠測量極薄的膜層，也能夠測量各種吸收基底或透明基底上的粗糙表面薄膜。

SE400advanced 包含了一個高性能、精密的手動角度計，確保了在較短測量時間內(nèi)的多角度測量，以便分析復(fù)雜樣品。

SE400advanced 是簡潔緊湊的設(shè)備，能夠快速啟動并運行。通過以太網(wǎng)連接的 PC 或筆記本電腦對設(shè)備進行控制。新的操作系統(tǒng)和 PC 會被使用。

SE400advanced 軟件描述

必要的測量和分析步驟被優(yōu)化，使過程被簡化到只需操作單個按鈕就能夠完成強大測量功能。預(yù)先定義的應(yīng)用Recipe能夠讓使用變得簡易。由于可以利用所提供的全面的材料數(shù)據(jù)庫，能夠很輕松的添加或更改測量Recipe。SE400advanced 軟件支持本地化，能夠支持不同的語言：英語（默認），德語。其他使用西里爾字母和亞洲字母的語言也能夠被很好的支持。

技術(shù)指標(biāo)：

波長： 632.8 nm 氦氖激光器 (Class 1 device)

90°位置 時ψ,?精度：δ(ψ)=0.002° δ(?)=0.002°

長期穩(wěn)定性：δ(ψ) = ±0.01° ；δ(?)= ±0.1°

膜厚測量精度：0.1 Å for 100 nm SiO2 on Si

折射率測量精度：5x10-4 for 100 nm SiO2 on Si

透明薄膜的厚度范圍：*4 µm

弱吸光性薄膜厚度范圍 (多晶硅)：*2 µm

膜層數(shù)量：默認: 在基底或多層膜上的1-3層膜

測量時間：120 ms ….. 1.5 s (決定于測量方式)

設(shè)置：PCSA with Compensator

高穩(wěn)定性補償器Compensator, 可得到 0° 和180°附近?的高精度

電腦控制的起偏器 Polarizer，定位/探測，自動校準高穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)分析器Analyzer

激光束直徑：1 mm

入射角： 手動角度計40° - 90°, 步進值5°

樣品對準：用于樣品傾斜角度和高度手動調(diào)整的自動校準鏡(ACT)

選項： 自動對焦

樣品載物臺：可調(diào)節(jié)高度和角度的樣品臺，150mm直徑

選項:-真空吸盤

- x-y 地形圖掃描載物臺

設(shè)置和保養(yǎng)：橢偏儀的自動校準, 保養(yǎng)模式包括自檢

維護:自動的內(nèi)部維護程序，檢查絕大多數(shù)部件的正常工作

PC, 顯示器 ：新型商用計算機，鼠標(biāo)，鍵盤，, 以太網(wǎng)卡,Windows XP操作系統(tǒng)，使用TFT液晶顯示器

軟件： SENTECH 公司的 SE 400 橢偏儀軟件

預(yù)先定義的應(yīng)用模式：比如：

- 硅上的介質(zhì)膜

- 砷化鎵上的介質(zhì)膜

- 玻璃上的有機薄膜

- 硅上的自然氧化膜

- 砷化鎵上的自然氧化膜

標(biāo)準測量 Recipe

單角度入射(40 度到 85 度間的固定角度)

多角度入射(40 度到 85 度間的角度, 步進值 5°)

材料庫包含:

電介質(zhì), 弱吸收薄膜, 晶體和非晶半導(dǎo)體, 金屬, 有

機物， 玻璃，石英和其他