目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光學無源器件>>晶體/棱鏡/窗片>> SIFZP10-2IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣,綜合 | 組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ(Float Zone級材料)，可以提供沒有這種吸收的（FZ）工藝的材料。硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。硅通過Czochralski提拉法技術(shù)（CZ）生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過（FZ）工藝制備。 光學硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
公司簡介
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