目錄:沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司>>真空鍍膜機>>磁控濺射鍍膜>> VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,冶金,綜合 |
VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設(shè)備，含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
本機設(shè)置1個蒸鍍加熱舟，特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜（如Ti、Al 、Au等），加熱舟上方有一個可旋轉(zhuǎn)擋板；2只束源爐工位（標(biāo)配1只束源爐）；1組流量計（氬氣一組）帶φ150玻璃觀察窗。
產(chǎn)品名稱 | VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發(fā)鍍膜儀 | |
產(chǎn)品型號 | VTC-1HD-ZF2 | |
主要參數(shù) | 1、真空室：φ324X330 極限真空6.0X10-4Pa（采用國產(chǎn)FF-150升渦輪分子泵+機械泵） 漏率：2.0x10-10Pa.m3/s 材料為304不銹鋼焊接，電化學(xué)表面拋光處理。 活動處密封采用橡膠密封圈，不活動處密封采用銅密封圈密封。 動力傳動采用磁耦合聯(lián)動方式。 真空室一個磁控靶位、一組蒸發(fā)電極（兩只）、2只束源爐工位（標(biāo)配1只束源爐）。 1組流量計（氬氣一組）帶φ150玻璃觀察窗，另預(yù)留C35法蘭接口。 | |
2、濺射靶頭：2吋（φ50.8mm） 工作真空度：10Pa~0.2Pa 靶材利用率：＞35%(標(biāo)準(zhǔn)3mm銅靶材，靶面真空度0.5Pa) MAX功率：＜240W（充分冷卻） 絕緣電壓：＞2000V（配套500W直流電源1個） | ||
3、電阻蒸發(fā)： 蒸發(fā)輸出電壓：AC 0-8V連續(xù)可調(diào) 極限蒸發(fā)電流200A 極限蒸發(fā)功率＜1.6KW 溫度不可控，不可測。 | ||
4、束源爐：坩堝容量：3CC 加熱溫度：室溫-700°C 加熱溫度可測、可調(diào)、可控。 控溫精度：±0.5°C 標(biāo)配石英坩堝，帶擋板、熱電偶。 電源功率：500W、36V | ||
5、樣品臺：φ120 溫控：室溫-500°C 轉(zhuǎn)數(shù)：1-20rpm 樣品臺可手動升降，可調(diào)行程上限：50mm | ||
6、EQ-TM106-1膜厚儀 1)電源：DC 5V（±10%），MAX電流400mA 2)頻率分辨率：±0.03Hz 3)膜厚分辨率：0.0136?（鋁） 4)膜厚準(zhǔn)確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，材料應(yīng)力，溫度和密度。 5)測量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置 6)測量范圍：500000?（鋁） 7)標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體：6MHz 8)計算機接口：RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設(shè)置，數(shù)據(jù)位：8，停止位：1，校驗：無） 9)模擬輸出：8比特分辨率，PWM脈寬調(diào)制輸出（集電極開路或內(nèi)部5V輸出） 10)工作環(huán)境：溫度0-50℃，濕度5%-85%RH，不得有冷凝水珠 11)外形尺寸：90mm×50mm×18mm | ||
7、設(shè)備標(biāo)配冷水機組1臺（KJ5000型），客戶自備冷水機及去離子水或純凈水。 | ||
8、整機電源輸入：AC220V/50Hz。功率＜3.5KW。 | ||
9、產(chǎn)品規(guī)格： 尺寸：約1300mm×660mm×1200mm； 重量：約160 kg |   | |
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