細胞電阻抗特征參數(shù)測量系統(tǒng)

細胞電阻抗特征參數(shù)測量系統(tǒng)

細胞外微電極陣列

細胞外微電極陣列使用微制造細胞外電極進行體外神經(jīng)元記錄具有一定優(yōu)勢

我們描述了細胞外微電極陣列的制造方法、特征和使用，細胞電生理，用于檢測培養(yǎng)中的神經(jīng)元的動作電位。

64個電極陣列中的100微米2的鍍金微電極可以檢測到在動作電位期間流動的外部電流，其S:N比高達500:1，給出的蕞大記錄信號為幾毫伏。

如果細胞在電極上得到良好的密封，這些電極的性能就會得到提高，如果電極和細胞位于基質的深槽中，其性能就會進一步提高。

這些電極可用于記錄和刺激培養(yǎng)的神經(jīng)元的活動，以及從一個細胞的多個部位進行記錄。

細胞外微電極陣列描述了使用這種電極獲得無脊椎動物神經(jīng)元的記錄的情況。展示了這些電極的特殊優(yōu)勢，它們的長期穩(wěn)定性、非侵入性、高包裝密度和在刺激中的效用。

可牽張多通道微電極特性：

．柔性， 可拉伸，細胞電生理牽張拉伸系統(tǒng)， 軟(Flexible， Stretchable and Soft)

．記錄和剌激電生理活動(Recording and Stimulation of Electrophysiological Activity)

．機城力方面強大：拉伸， 彎曲， 扭曲（Mechanically robust: stretch， bend， twist)

微裂紋金膜提供了理想的性能組合：

．低電阻(low electrical impedance)

．彈性可拉伸(elastically stretchable)

．低彈性模量(low elastic modulus)

．低疲勞(low fatigue)

我們的可拉伸 MEA 與 MEASSuRE 系統(tǒng)相結合。它們增強了研究能力并提供了的多功能性，因為它們?yōu)檠芯咳藛T提供了獨立操縱化學、電氣和機械因素以更緊密地人體復雜性的方法。

細胞機械拉伸損傷培養(yǎng)設備

據(jù)估計，每年約有150萬美國人遭受創(chuàng)傷性腦損傷（TBI），其中約80%被認為是輕度傷害。

根據(jù)定義，輕度TBI引起的癥狀持續(xù)不到半小時，顯然不需要治1療就能解決，所以對輕度TBI的研究往往被忽視，導致這一廣泛存在的問題出現(xiàn)了重大的知識空白。

在這項工作中，細胞電生理力學復合模型系統(tǒng)，我們研究了新生兒/青少年海馬在實驗性輕度創(chuàng)傷后的功能（電生理）改變。我們以前使用的細胞機械拉伸損傷培養(yǎng)設備的工作報告了在體外損傷>10%的雙軸變形后顯著的細胞死1亡。

在這里，我們報告說，細胞電生理力學模型系統(tǒng)，雙軸變形低至5%就會影響海馬切片文化體外輕度損傷后弟一周的神經(jīng)元功能。

這些結果表明，即使非常低的機械損傷事件也可能導致可量化的神經(jīng)元網(wǎng)絡功能障礙。此外，我們使用細胞機械拉伸損傷培養(yǎng)設備得出的結果強調，機械變形的安全限度或耐受性標準可能是特定的結果測量，而神經(jīng)元功能是一個比細胞死1亡更敏感的損傷測量。

此外，發(fā)現(xiàn)損傷時組織的年齡是影響創(chuàng)傷后電生理功能缺陷的一個重要因素，表明發(fā)育狀況和對輕度損傷的脆弱性之間存在關系。我們的研究結果表明，輕度小兒創(chuàng)傷性腦損傷可能導致比目前所認識的更嚴重的功能障礙。