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達(dá)因特微波PLASMA去膠機(jī)
自由基分子的等離子體無(wú)偏壓，無(wú)電性損壞；
產(chǎn)品可放在托盤(pán)、開(kāi)槽或封閉的Magizine，處理效率高；
Magizine可配置旋轉(zhuǎn)架，通過(guò)合理的ECR設(shè)計(jì)，良好的氣體流量調(diào)節(jié)，可以達(dá)到比較高的均勻度；
集成的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，自主研發(fā)控制軟件，操作更方便；
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
為何要去除光刻膠？
在現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)大量使用光刻膠來(lái)將電路板圖圖形通過(guò)掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護(hù)下，對(duì)下層薄膜或晶圓基底完成進(jìn)行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠*去除。
去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉(zhuǎn)移和保護(hù)層的功能，通過(guò)去膠工藝進(jìn)行*清除。
光刻膠去除是微加工工藝過(guò)程中非常重要的環(huán)節(jié)，光刻膠是否*去除干凈、對(duì)樣片是否有造成損傷，都會(huì)直接影響后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果。
半導(dǎo)體光刻膠去除工藝有哪些？
半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類(lèi)別。
各類(lèi)去膠方法對(duì)比：
上圖可見(jiàn)，干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠*且速度快，是現(xiàn)有去膠工藝中好的方式，而微波PLASMA去膠技術(shù)，也是干式去膠的一種。
達(dá)因特的微波PLASMA去膠機(jī)，搭載國(guó)內(nèi)微波半導(dǎo)體去膠發(fā)生器技術(shù)，配置磁流體旋轉(zhuǎn)架，使微波等離子體更加高效、均勻的輸出，不僅去膠效果好，還能做到無(wú)損硅片與其他金屬器件。并提供“微波+Bias RF"雙電源技術(shù)，以應(yīng)對(duì)不同客戶(hù)需求。