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摻雜之后的半導(dǎo)體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質(zhì)半導(dǎo)體的能隙之間會出現(xiàn)不同的能階。施主原子會在靠近傳導(dǎo)帶的地方產(chǎn)生一個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產(chǎn)生新的能階。假設(shè)摻雜硼原子進(jìn)入硅，則因為硼的能階到硅的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠(yuǎn)小于硅本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子解離化（ionize）。

摻雜物對于能帶結(jié)構(gòu)的另一個重大影響是改變了費(fèi)米能階的位置。在熱平衡的狀態(tài)下費(fèi)米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n接面（p-n junction）的能帶會彎折，起因是原本p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能階位置各不相同，但是形成p-n接面后其費(fèi)米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。

上述的效應(yīng)可以用能帶圖（band diagram）來解釋，。在能帶圖里橫軸代表位置，縱軸則是能量。圖中也有費(fèi)米能階，半導(dǎo)體的本質(zhì)費(fèi)米能階（intrinsic Fermi level）通常以E來表示。在解釋半導(dǎo)體元件的行為時，能帶圖是非常有用的工具。

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