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英飛凌Infineon的晶閘管/二極管模塊提供不同封裝形式，如20mm、34mm、50mm、60mm、70mm底板寬。采用不同的連接技術(shù)，有焊接、壓接模塊可供選...

德國(guó)英飛凌可控硅模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯(lián)、 DD 雙二極管串聯(lián) 、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見產(chǎn)品詳情?？捎糜趲缀跛邢辔豢刂苹?..

晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管在工作過程中，它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制...

SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可...

德國(guó)Semikron塞米控公司的可控硅二極管模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為SKET單可控硅模塊、SKKE單二極管模塊、SKKT雙可控硅串聯(lián)模塊等18中?？煽毓鑳?yōu)...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝...

歐標(biāo)方體系列熔斷器分為：DIN 43 653； DIN 43 620； 平端式（公制/美制）；法式；美式。美式690V-1300V 巴斯曼快速熔斷器電子元器件中...

熔斷器是一種過電流保護(hù)器，主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時(shí)，將熔斷器串聯(lián)于被保護(hù)電路中，當(dāng)被保護(hù)電路的電流超過規(guī)定值，并經(jīng)過一定時(shí)間后，由熔體自身...

巴斯曼熔斷器觸動(dòng)開關(guān)40-1000A快速現(xiàn)貨直供DIN 43 620 系列產(chǎn)品可根據(jù)實(shí)際需求選配微型開關(guān)指示器。額定電壓690V/700V；額定電流40-100...

美國(guó)伊頓巴斯曼高壓快速熔斷器保險(xiǎn)絲型號(hào)全 方體系列熔斷器產(chǎn)品特點(diǎn)是：1）焦耳積分放通量最??；2）運(yùn)行溫度低；3）功率損耗??；BUSSMANN 方體熔斷器均通過I...

快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。美國(guó)...

方體系列熔斷器具有:焦耳積分放通量最小、運(yùn)行溫度低、功率損耗小的特點(diǎn)，BUSSMANN 方體熔斷器均通過IEC 60269（第4部分標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試）。該標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試電...

BUSSMANN巴斯曼快速熔斷器底座開關(guān)保險(xiǎn)絲 可選型號(hào)：170H0069、170H0235、170H0236、170H0237、170H0238、170H10...

Bussmann 是電路保護(hù)裝置生產(chǎn)商，其設(shè)備可保護(hù)電氣、電子和汽車系統(tǒng)免受電路過載影響。公司供應(yīng)超過41，000種保險(xiǎn)絲，為業(yè)界樹立了電路保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品涵蓋從...

西門康可控硅/晶閘管模塊配置了各類單管和雙管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，憑借高達(dá)2200V的阻斷電壓，可用于幾乎所有相位控制或整流器。它體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線...

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻...

在電動(dòng)汽車的“三電"方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動(dòng)電機(jī)，其中每一相的驅(qū)動(dòng)控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯...

由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問題，有時(shí)驅(qū)動(dòng)板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動(dòng)電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線...

IGBT開通性能而言，有兩個(gè)比較重要的表現(xiàn)指標(biāo)：一個(gè)是開通時(shí)橋臂電流的變化率di/dt，另一個(gè)是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所產(chǎn)生的開通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極...

如今，IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源領(lǐng)域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關(guān)性能可通過IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)置加以控制或影響。優(yōu)化IGBT開關(guān)性能對(duì)于系統(tǒng)...