目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZGSOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片
| 參考價(jià) | ￥ 9998 |
| 訂貨量 | ≥1件 |
| ￥9998 |
| ≥1件 |
更新時(shí)間：2025-02-17 14:42:27瀏覽次數(shù)：1262評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)陣列
四川梓冠光電最新研發(fā)SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)陣列，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低。
〖性能指標(biāo)Specifications〗
參數(shù)指標(biāo) Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長(zhǎng)范圍 Wavelength range
| nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
消光比 Extinction ratio
| dB | 19 | 20 | 22 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
回波損耗 Return loss | dB | 40 | 50 | ||
偏振相關(guān)損耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
驅(qū)動(dòng)電壓 drive voltage | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
驅(qū)動(dòng)電流 drive current
| mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間 Response Time | ns | 30 | 300 | ||
熱調(diào)功耗 Thermal tuning power consumption | mW | 30 | 50 | ||
通道數(shù) number of channels | 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80 | |||
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 20(L)×2.5 (W)×0.5(H) | 或可定制 or can be customized | ||
ZG | 波長(zhǎng) Wavelength | 通道數(shù) Number of channels | 類(lèi)型 Type |
13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不帶熱調(diào) 1=Without temperature regulating thermistor 2=帶熱調(diào) 2=With temperature regulating thermistor XX=other |
SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片
SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
4
化工儀器網(wǎng)