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　　JSM-IT800 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡特性

　　JSM-IT800整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒(méi)式肖特基Plus場(chǎng)發(fā)射電子槍"、創(chuàng)新的電子光學(xué)控制系統(tǒng)“Neo Engine"以及無(wú)縫GUI系統(tǒng)“SEM Center"，該系統(tǒng)采用一體化JEOL X射線能量色散譜儀(EDS)作為通用平臺(tái)，進(jìn)行快速元素分析。

　　JSM-IT800允許物鏡作為一個(gè)更換模塊，提供不同的版本以滿足各種用戶需求。JSM-IT800有五種版本，提供不同的物鏡：混合型物鏡(HL)，這是一種通用FE-SEM；超級(jí)混合物鏡（SHL/SHLs，具有不同功能的兩種版本），可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的觀察和分析；以及新開(kāi)發(fā)的半浸沒(méi)式物鏡（i/is，具有不同功能的版本），適用于納米材料、化學(xué)、新材料、半導(dǎo)體器件的觀察和分析。

　　此外，JSM-IT800還可以配備新型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SBED)和多功能背散射電子探測(cè)器(VBED)。SBED支持以高響應(yīng)性獲取圖像，即使在低加速電壓下也能產(chǎn)生清晰的成分襯度，而VBED可以幫助獲取3D、形貌和成分襯度的圖像。因此，JSM-IT800可以幫助用戶獲取豐富多樣德信息并解決測(cè)量中的問(wèn)題。

　　■JSM-IT800熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡視頻介紹

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　　1.浸沒(méi)式肖特基Plus場(chǎng)發(fā)射電子槍集成的浸沒(méi)式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實(shí)現(xiàn)高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA 5kv),這可幫助用戶在對(duì)SEM參數(shù)進(jìn)行微小調(diào)整的情況下，進(jìn)行高分辨觀察、高速元素面分析、EBSD分析、軟X射線分析。

　　2.Neo Engine（New Electron Optical Engine）配備本公司電子光學(xué)技術(shù)精華的新一代電子光學(xué)控制系統(tǒng)，可在調(diào)整各種參數(shù)的同時(shí)進(jìn)行穩(wěn)定的觀察。此外，該系統(tǒng)還具有增強(qiáng)的自動(dòng)功能，更易于使用。

　　AFS ACB

　　樣品：碳基納米錫粒子

　　入射電壓：15kV，WD：2mm，觀察模式：BD，檢測(cè)器：UED，倍率：x200,000。

　　3.SEM Center/EDS一體化操作導(dǎo)航“SEM Center"與本公司生產(chǎn)的EDS進(jìn)行了全面集成，更易于操作。此外，還配備了Smile Navi（可選），可以幫助新手了解如何操作SEM，LIVE-AI(Live Image Visual Enhancer-AI)(可選)，可輕松查看實(shí)時(shí)圖像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成報(bào)告。

　　4.LIVE-AI Filter利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的實(shí)時(shí)圖像。與圖像集成處理不同，這樣可以顯示無(wú)殘留圖像的無(wú)縫移動(dòng)實(shí)時(shí)圖像。這一功能對(duì)于快速搜索觀察區(qū)域、聚焦和像散調(diào)整非常有效。

　　實(shí)時(shí)圖像比較：

　　樣品：螞蟻外骨骼，入射電壓：0.5kV，SED檢測(cè)器：

　　樣品：鐵銹，入射電壓：1kV，SED檢測(cè)器

　　5.HL/HLs（Hybrid Lens）、SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is（Semi-in-Lens）

　　JSM-IT800系列了提供多種物鏡可供選擇，以滿足用戶的多種需求。

　　HL版本和SHL版本（包括SHLs版本）配備了電磁/靜電場(chǎng)疊加物鏡?？梢詫?duì)從金屬到納米材料的各種樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析，特別適用于磁性材料的觀察和分析，例如EBSD分析。

　　i版本和is版本都配備了半浸沒(méi)式物鏡，非常適合對(duì)傾斜和橫截面樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析，這是半導(dǎo)體器件故障分析的要素。此外，它還適用于使用高位透鏡內(nèi)電子探測(cè)器(UID)進(jìn)行觀察。

　　6.高位檢測(cè)器UHD（Upper Hybrid Detector）

　　SHL物鏡里標(biāo)配高位檢測(cè)器，可高效檢測(cè)樣本中的電子，從而獲得高S/N的圖像。

　　SHL觀察舉例

　　1.氧化鋁顆粒二次電子像

　　入射電壓0.5kV，檢測(cè)器：UHD

　　可以觀察顆粒表面的階梯結(jié)構(gòu)，能清楚地看到納米尺度的階梯。

　　2.鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF

　　樣本：IC芯片橫截面（表面蝕刻，鋨鍍層）

　　入射電壓：5.0kV（無(wú)BD模式），SHL觀察模式，探測(cè)器：UHD、UED（BSE模式）

　　HL觀察舉例

　　i/is version觀察舉例

　　1.光催化顆粒二次電子像

　　JSM-IT800（i）UED檢測(cè)器樣品提供：東京大學(xué)特聘教授堂免一成這種光催化劑使水分解反應(yīng)的量子效率接近100%。高分辨率SE圖像清楚地顯示：尺寸小于10 nm的助催化劑顆粒優(yōu)先沉積在立方顆粒的{100}晶面上，以促進(jìn)析氫和析氧反應(yīng)。

　　參考文獻(xiàn)：T.Takata et.al.,"Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity,"Nature,581,411-414,2020.

　　2.半導(dǎo)體器件（SRAM）內(nèi)部組成像、電位襯度像、凹凸像

　　觀察條件：入射電壓1kV，WD8mm，觀察模式SIL，檢測(cè)器UED、UID、SED，3種信號(hào)同時(shí)獲取

　　7.新型背散射電子檢測(cè)器

　　閃爍體背散射電子檢測(cè)器（SBED、選配件）響應(yīng)性能*，適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測(cè)器（VBED、選配件）適用于3D、凹凸等特色圖像的采集。

　　SBED觀察例

　　VBED觀察例

　　VBED中不同方位的半導(dǎo)體元件接受不同角度的背散射電子。位于內(nèi)側(cè)的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息，外側(cè)的主要反映其表面凹凸信息，且使用內(nèi)側(cè)半導(dǎo)體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質(zhì)。