適合元器件測(cè)試用設(shè)備

在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

無(wú)錫冠亞積探索和研究元件測(cè)試系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體測(cè)試中的溫度測(cè)試模擬，具有寬溫度定向和高溫升降，溫度范圍-92℃~250℃，適合各種測(cè)試要求，解決了電子元器件中溫度控制滯后的問題，超高溫冷卻技術(shù)可以直接從300℃冷卻。

半導(dǎo)體集成電路芯片Chiller,芯片測(cè)試用

半導(dǎo)體集成電路芯片Chiller,芯片測(cè)試用

　　集成電路測(cè)試卡位產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程。從整個(gè)制造流程上來(lái)看，集成電路測(cè)試具體包括設(shè)計(jì)階段的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造階段的過程工藝檢測(cè)、封裝前的晶圓測(cè)試以及封裝后的成品測(cè)試，貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程，在保證芯片性能、提高產(chǎn)業(yè)鏈運(yùn)轉(zhuǎn)效率方面具有重要作用。

　　設(shè)計(jì)驗(yàn)證，又稱實(shí)驗(yàn)室測(cè)試或特性測(cè)試，是在芯片進(jìn)入量產(chǎn)之前驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否正確，需要進(jìn)行功能測(cè)試和物理驗(yàn)證。

　　過程工藝檢測(cè)，即晶圓制造過程中的測(cè)試，需要對(duì)缺陷、膜厚、線寬、關(guān)鍵尺寸等進(jìn)行檢測(cè)，屬前道測(cè)試。

晶圓測(cè)試（Chip Probing，又稱中測(cè)），是通過對(duì)代工完成后的晶圓進(jìn)行測(cè)試，目的是在劃片封裝前把壞的die挑出來(lái)，以減少封裝和芯片成品測(cè)試成本，同時(shí)統(tǒng)計(jì)出晶圓上的管芯合格率、不合格管芯的確切位置和各類形式的合格率等，能直接反應(yīng)晶圓制造良率、檢驗(yàn)晶圓制造能力。