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1、集成電路的封裝工藝檢測(cè)：層剝離、開裂、空洞和打線工藝；

2、印刷電路板制造工藝檢測(cè)：焊線偏移，橋接，開路；

3、表面貼裝工藝焊接性檢測(cè)：焊點(diǎn)空洞的檢測(cè)和測(cè)量；

4、連接線路檢查：開路，短路，異?；虿涣歼B接的缺陷；

5、錫球數(shù)組封裝及覆芯片封裝中錫球的完整性檢驗(yàn)；

6、高密度的塑料材質(zhì)破裂或金屬材質(zhì)檢驗(yàn)；

能量—電荷系數(shù)

X射線在介質(zhì)物質(zhì)中平均得到的電荷（N）與損耗的能量（E）的比值，被我們稱為能量—電荷轉(zhuǎn)換系數(shù)。由于能量—電荷轉(zhuǎn)換具有統(tǒng)計(jì)性，所以一般表示為平均值。

能量分辨率

X射線探測(cè)器中最為重要的系統(tǒng)參數(shù)便是能量分辨率，能量分辨率反映了探測(cè)器對(duì)不同類型的入射粒子的能量分辨能力。能量分辨率越小，則表示探測(cè)器可區(qū)分更小的能量差別。通常我們將能量分辨率分為絕對(duì)、相對(duì)分辨率兩種類型。以能量高斯分布的半高寬（FWHM）來表示的被稱為絕對(duì)分辨率；而相對(duì)分辨率則是使用絕對(duì)分辨率與峰位的比值來表示。

探測(cè)器的能量分辨率受諸多因素的影響，如：探測(cè)器的有效探測(cè)面積、探測(cè)元器件類型、甑別和計(jì)數(shù)器能力、后續(xù)處理電路時(shí)間常數(shù)等。在此時(shí)間常數(shù)通常指脈沖處理器所耗費(fèi)時(shí)間，也就是是射線從進(jìn)入探測(cè)器后，其測(cè)量并處理能量所需時(shí)長。探測(cè)器分辨率與其時(shí)間常數(shù)、面積、分析效率幾者之間有著明晰的關(guān)聯(lián)，即：面積大小與分辨率高低成反比；當(dāng)面積不變時(shí)，時(shí)間常數(shù)與光子測(cè)量準(zhǔn)確度同時(shí)增加時(shí)，其分辨效果越好[5]。由此不難看出，時(shí)間常數(shù)是影響分析效率與能量分辨率的重要因素，然而兩者卻無法同一，因此從儀器實(shí)用層面出發(fā)，必須讓分辨率與靈敏度兼顧。

輸出穩(wěn)定性

探測(cè)效率

探測(cè)效率多被定義為記錄到的脈沖數(shù)與入射X射線光量子數(shù)的比值。由于X射線和物質(zhì)的作用并不是連續(xù)進(jìn)行的，同時(shí)X射線光量子與物質(zhì)作用產(chǎn)生磷光或電離也并非絕對(duì)，因此X射線探測(cè)器探測(cè)效率不會(huì)大于1。一般我們按照探測(cè)效率的不同特性將其分為兩類：絕對(duì)效率和本征效率。X射線總?cè)肷涔饬孔訑?shù)與輻射源發(fā)射的量子數(shù)的比值稱為絕對(duì)效率。通常由于探測(cè)器的感應(yīng)區(qū)相對(duì)于輻射發(fā)射光量子只是一個(gè)很小的范圍，而輻射源是均勻光發(fā)射，這樣一來探測(cè)器可以接收到有限的輻射光子，所以絕對(duì)探測(cè)效值率既受到探測(cè)器本生特性的影響，也和探測(cè)器系統(tǒng)的外觀設(shè)計(jì)有關(guān)。本征效率是指系統(tǒng)所記錄到的脈沖個(gè)數(shù)同入射到探測(cè)器感應(yīng)區(qū)的光量子數(shù)之比。