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TDS測氫：第二代鎳基單晶高溫合金的氫捕獲與氫脆研究
1）1280°C/2 h + 1300°C/2 h + 1320°C/6 h，空冷（AC）；
2）1140°C/4 h，AC；
3）870°C/24 h，AC。
-應變速率：1×10??/s；
-溫度：室溫（RT）；
-測試樣本：啞鈴形平板試樣，標距長度 25 mm，截面 5×1.5 mm2；
（2）氫脆敏感性評估
-氫脆指數(shù)（HEI）計算：
-記錄斷裂應變、屈服強度及斷口形貌。
四、微觀結(jié)構(gòu)表征
（1）初始顯微組織分析：
-SEM（Zeiss Gemini 300）：觀察 γ/γ′ 相分布；
-HRTEM（JEOL JEM-2200FS）：分析 γ/γ′ 界面晶格結(jié)構(gòu)；
-APT（CAMECA LEAP 5000XR）：元素空間分布及界面成分。
（2）斷口分析：
-SEM：觀察斷口形貌（滑移臺階、準解理面、微裂紋）；
-Micro-CT：三維裂紋分布；
-EBSD/ECCI：裂紋附近塑性變形區(qū)及位錯結(jié)構(gòu)。
五、氫分布與氫捕獲行為分析
-氫還原反應：AgBr + H → Ag + H? + Br?；
-銀顆粒分布分析（SEM-EDS），定位氫富集區(qū)域（γ 基體、γ/γ′ 界面）。
（2）熱脫附技術(shù)（TDS）：
-儀器：JTF20A 分析儀，加熱速率 100–350°C/h；（點擊查看TDS熱脫附測氫表征測量系統(tǒng)詳細介紹）
-脫附峰擬合（Gaussian 分峰），計算氫脫附活化能（Choo-Lee 方程）：
-真空層厚度：12 ?。
(2)計算參數(shù)：
-模型：VASP（PAW ，PBE-GGA 泛函）；
-平面波截斷能：500 eV；
-k 點網(wǎng)格：7×7×2（Γ 中心）。
(3)界面結(jié)合強度分析：
-分離功（Wsep）計算（Rice-Wang熱力學理論）；
-分析氫對 Ni-Ni/Ni-Al 鍵的影響。
七、數(shù)據(jù)分析與關(guān)聯(lián)性研究
（1）氫捕獲與力學性能關(guān)聯(lián)
-γ/γ′ 界面作為可逆氫陷阱的機理（界面錯配應力場）。
（2）氫脆機制驗證：
-HELP（氫增強局部塑性）與 HEDE（氫增強解聚）的協(xié)同作用；
-滑移帶-微裂紋-納米孔洞的演化路徑。
備注：實驗設計覆蓋氫捕獲行為、力學性能劣化機制及微觀結(jié)構(gòu)演化的多尺度關(guān)聯(lián)，為開發(fā)抗氫脆高溫合金提供理論依據(jù)。