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日本古河furukawa氮化鋁 (AlN) 陶瓷零件半導體制造設備用
半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。
氮化鋁（AlN）是一種平衡良好的材料，具有優(yōu)異的導熱性、熱輻射（散熱）、抗熱震性和電絕緣性，并且具有與硅晶片相匹配的熱膨脹性。
利用古河電子的燒成技術，我們還能夠制造550mmφ的氮化鋁陶瓷部件。我們還將應對更大直徑的晶圓。
我們還提供材料。如果您對氮化鋁陶瓷有任何疑問，請隨時與我們聯(lián)系。
特征
具有高導熱率和熱發(fā)射率，熱量均勻性高。
它具有抗熱沖擊能力，可以承受快速加熱和冷卻。
與硅相匹配的低熱膨脹。
對氟氣具有優(yōu)異的耐腐蝕性。
目的
半導體制造裝置（CVD、蝕刻等）用各種基座、靜電吸盤、均熱板、真空吸盤、加熱器
虛擬晶圓
目標
化合物半導體制造設備零部件
型號：FAN-090 / FAN-170 / FAN-200
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