在半導體設備的生產(chǎn)過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因為即使是少量雜質也會導致設備的失效。SEMI 標準規(guī)定的是金屬雜質的大濃度（SEMI 標準C27-07081 用于鹽酸），而半導體設備的生產(chǎn)商對雜質濃度的要求往往更加嚴格，這樣就給試劑供應商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結果是，分析儀器也必須能夠對更低濃度的雜質成分檢測。
電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）具備測定納克/ 升（ng/L，PPT）甚至更低濃度元素含量的能力，是測量痕量及超痕量金屬的技術。然而，常規(guī)的測定條件下，氬、氧、氫離子會與酸基體相結合，對待測元素產(chǎn)生多原子離子干擾。
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