高純度精煉的鎵(Ga)是半導體化合物砷化鎵的主要原料,可用作高溫溫度計的填充物、溫度標準物質(zhì)及熔點較低的合金材料,是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)*的元素之一,隨著高純度鎵的需求增大,對雜質(zhì)含量的檢驗成為*的環(huán)節(jié)。
本實驗介紹了分析高純度銦和鎵中雜質(zhì)的ICP-OES方法。
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