手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關(guān)注視頻號
金剛石薄膜具有不同的晶態(tài)（單晶、微晶、納米晶和超納米晶），是許多醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)應(yīng)用的潛在候選者，如埋植劑的涂層，用于神經(jīng)元或生物傳感器活性部分的生長和研究的平臺。這與它們優(yōu)異的力學(xué)性能、高的化學(xué)惰性和生物相容性有關(guān)。
化學(xué)氣相沉積（CVD）制備的金剛石薄膜是端氫的。這導(dǎo)致了一定程度的疏水性，這是觀察到化學(xué)惰性的原因。因此，進(jìn)一步增加親水性或增加化學(xué)活性需要進(jìn)行表面改性。通過等離子體處理和光化學(xué)方法實現(xiàn)-OH或-NH2基團(tuán)的表面功能化。另一方面，等離子體氟化甚至?xí)黾颖砻娴氖杷浴eta電位用來評價功能化程度，它反映了表面-水界面的電荷形成。
圖1：流動電勢測量示意圖
圖2：Si晶片上經(jīng)過O2等離子體處理和SF6等離子體處理的UNCD薄膜的Zeta電位與pH的關(guān)系
表1：圖2中未處理和等離子體處理后的UNCD表面zeta電位分析的關(guān)鍵指標(biāo)
靈敏的流動電勢測量技術(shù)是用于監(jiān)測表面活化等離子體處理或沉積方法，并確定各種表面終端或污染的技術(shù)
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心