芯片封裝等離子體應(yīng)用包括用于晶圓級(jí)封裝的等離子體晶圓清洗、焊前芯片載體等離子體清洗、封裝和倒裝芯片填充。達(dá)因特智能

     ito電極的表面性質(zhì)和抗組分結(jié)構(gòu)對(duì)pled顯示器的光電性能都有重要影響。為了保的像素形成和大的亮度，噴墨印刷的褶皺材料需要非常特殊的表面處理。這種表面工程是利用pva-tepla*的平面微波等離子體技術(shù)來(lái)完成的，它能在ito表面和襯底結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生所需的表面能。tepla工藝允許選擇性地產(chǎn)生親水和疏水的表面條件，以控制像素填充和墨水流動(dòng)。此外，在lep沉積之前增加ito的功函數(shù)可以大大提高電荷進(jìn)入有機(jī)層的效率。

     微波平面等離子體系統(tǒng)是專為大基板的均勻處理而設(shè)計(jì)的，可擴(kuò)展到更大的面板尺寸。引進(jìn)300毫米晶圓對(duì)裸晶圓供應(yīng)商提出了新的更高的標(biāo)準(zhǔn)要求：通過(guò)將直徑從200毫米增加到300毫米，晶圓的表面積和重量增加了一倍多，但厚度卻保持不變。這大大增加了破碎險(xiǎn)。300毫米晶圓具有高水平的內(nèi)部機(jī)械張力（應(yīng)力），這大大增加了集成電路制造過(guò)程中的斷裂概率。這有明顯的代價(jià)高昂的后果。因此，應(yīng)力晶圓的早期檢測(cè)和斷裂預(yù)防近年來(lái)受到越來(lái)越多的關(guān)注。此外，晶圓應(yīng)力對(duì)硅晶格特性也有負(fù)面影響。sird是晶圓級(jí)的應(yīng)力成像系統(tǒng)，對(duì)降低成本和提高成品率做出了重大貢獻(xiàn)。

     等離子體表面處理技術(shù)是一種經(jīng)濟(jì)有效的太陽(yáng)能電池邊緣隔離技術(shù)，在電池生產(chǎn)線中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一個(gè)額外的好處，等離子體過(guò)程包括在細(xì)胞邊緣的鋸片損傷的原位微裂紋愈合，從而降低細(xì)胞破裂的風(fēng)險(xiǎn)。我們新的等離子系統(tǒng)為電池組提供了改進(jìn)的加載功能，每小時(shí)高達(dá)1600個(gè)電池。微波等離子體是*的高蝕刻率與低溫處理易于處理。電池組在蝕刻周期內(nèi)旋轉(zhuǎn)以獲得均勻性，而伸縮級(jí)為操作人員提供了*的加載通道。可選擇通過(guò)機(jī)器人進(jìn)行全自動(dòng)裝載。

    等離子體清洗是提高電池表面潤(rùn)濕性的有效方法。為了提高濕變形工序的均勻性和可重復(fù)性，短時(shí)間的等離子體清洗處理步驟大大提高了進(jìn)料單元的表面質(zhì)量。